Elpida estende accordo di collaborazione con Intermolecular

La giapponese Elpida Memory ha deciso di espandere il proprio programma di sviluppo collaborativo già in essere con una realtà specializzata nella ricerca e nello sviluppo della produzione dei semiconduttori, la compagnia californiana Intermolecular Inc.

L'avvio della collaborazione tra Elpida e Intermolecular risale infatti allo scorso anno, in un momento difficile in cui Elpida aveva bisogno di colmare il divario con i propri concorrenti, principalmente Hynix, Micron e Samsung, dopo aver avviato lo sviluppo attorno ai processi produttivi della classe dei 30nm. Sono state le attività di Intermolecular nei due anni precedenti, culminate nella realizzazione della piattaforma di sviluppo conosciuta con il nome di High-Producitivity Combinatorial, a spingere la casa Giapponese ad affidarsi ad essa come partner per le attività di ricerca e sviluppo.

Elpida ha utilizzato i servizi di ricerca e sviluppo di Intermolecular per l'uso nello svilippo della prossima generazione di DRAM. La collaborazione tra Elpida e Intermolecular ha avuto luogo presso gli stabilimenti di quest'ultima, che consiste di una linea di produzione pilota esclusivamente a scopo di ricerca e sviluppo, ed Elpida sta ora facendo uso di questi strumenti per poter velocizzare i propri tempi di sviluppo.

La partnership avviata lo scorso anno ha dato i risultati sperati: pochi giorni fa, con la pubblicazione dei risultati finanziari, Elpida ha registrato interessanti guadagni su base annuale per il secondo trimestre e per i primi sei mesi del proprio anno fiscale, nonostante la compagnia abbia ovuto fare i conti con una flessione delle vendite tra i primi due trimestri per via dell'erosione dei prezzi delle memorie DRAM.

L'estensione dell'accordo si focalizza sul trasferimento di processi produttivi dalla ricerca alla produzione e sul supporto delle rese produttive ad alti volumi per ciò che concerne le memorie DRAM. Nei piani dell'accordo è compresa inoltre l'integrazione del processo produttivo nel range dai 30 ai 40 nanometri e, guardando al futuro, le attività di ricerca per materiali più avanzati e le tecnologie di processo per le memorie DRAM tra i 20 e i 30 nanometri.

In questo momento la corsa verso i 30 nanometri si sta accendendo: Samsung Electronics è stato il primo produttore a consegnare un chip DDR3 a 2Gbit basato su processo a 35 nanometri, mentre il secondo posto è ancor conteso dagli altri protagonisti. Elpida stessa ha comunicato alla fine del mese di settembre di aver completato lo sviluppo di un chip DRAM DDR3 da 2Gbit nell'ordine dei 30-nm, i cui esemplari di valutazione saranno consegnati nel corso del prossimo mese di dicembre, Hynix ha preparato una soluzione DDR3 nella classe dei 30 nanometri con le consegne in partenza per la prima metà del 2011, mentre Micron non ha ancora acceso i riflettori sulle proprie soluzioni.

"Nel corso degli ultimi anni la tecnologia HPC di Intermolecular ed il team di sviluppo sono diventati un tassello importante per quanto riguarda le nostre capacità DRAM R&D" ha dichiarato Hideki Gomi, direttore e CTO di Elpida. "Abbiamo visto nuovi materiali e processi muoversi dalla prima fase dello sviluppo verso la produzione in volumi, con una velocità notevole, e con costi significativamente inferiori rispetto a quanto quanto sarebbe stato possibile fare con un modello R&D più tradizionale".

Intermolecular sta lavorando anche con altri clienti, le cui identità rimangono ignote. David Lazovsky, CEO di Intermolecular, si è limitato a dire che tra questi vi sono diversi produttori di chip e le "due più grandi fonderie del mondo", senza tuttavia fornire alcun dettaglio aggiuntivo.