Globalfoundries e IBM avviano la produzione congiunta presso la Fab 8

Globalfoundries e IBM avviano la produzione congiunta presso la Fab 8

Le due aziende annunciano l'avvio della produzione di processori IBM a 32/28 nanometri presso lo stabilimento di Globalfoundries nello stato di New York

di Andrea Bai pubblicata il , alle 12:21 nel canale Mercato
IBM
 

Globalfoundries ed IBM hanno annunciato un accordo per la produzione congiunta di chip presso lo stabilimento "Fab 8" di Globalfoundries situato nella Contea di Saratoga, con la pianificazione della produzione in volumi durante la seconda metà del 2012. La produzione di questi processori è stata inizialmente avviata nello stabilimento di IBM presso East Fishkill che opera con wafer da 300mm.

I processori che verranno prodotti nello stabilimento Fab 8 sono basati sulla tecnologia SOI a 32 nanometri di IBM che è stata sviluppaa conginuntamente con Globalfoundries e altri membri della Process Development Alliance di IBM, assieme ad una iniziale attività di ricerca del College of Nanoscale Science and Engineering dell'Università di Albany.

"IBM ha aiutato a rendere lo stato di New York uno dei luoghi principali per la progettazione e produzione di semiconduttori. Recentemente abbiamo annunciato una spesa di 3,6 miliardi di dollari destinata alle attività di ricerca e sviluppo di nuove tecnologie in silicio a New York. Portiamo le capacità, gli investimenti e la partnerhsip che mantengono New York all'avanguardia dello sviluppo e produzione di silicio avanzato" ha dichiarato Micheal Cadigan, general manager di IBM Microelectronics.

"L'annuncio di oggi è un'estensione naturale della nostra lunga partnership con IBM che include la produzione a 65 e 45 nanometri di chip presso le nostre fabbriche a Singapore e in Germania. Con l'aggiunta della recente fabbrica di New York, potremo ora produrre congiuntamente chip con IBM in quattro fabbriche su tre continenti" ha dichiarato il CEO di Globalfoundries Ajit Manocha.

Il nuovo campus della Fab 8, situato presso il Luther Forest Technology Campus, è uno dei centri di produzione e lavorazione dei wafer di silicio più tecnologicamente avanzati al mondo, nonché la prima fabbrica di semiconduttori negli Stati Uniti. Una volta che le fabbrica sarà portata a peieno regime vi saranno quasi 28 mila piedi quadrati di camere bianche e sarà capace di una produzione totale di circa 60 mila wafer al mese. La Fab 8 sarà impegnata sulla produzione d'avanguardia a 32/38 nanometri e inferiore.

6 Commenti
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mtk11 Gennaio 2012, 17:23 #1
60000 wafer al mese......i nani della loacker rendono di piu'
axel_8311 Gennaio 2012, 17:33 #2
Ma quali processori saranno prodotti in questa Fab8?
Major Clock11 Gennaio 2012, 18:39 #3
quindi amd sarà pronta a produrre in volumi con tecnologia a 32 nanometri nel 2012? Buono, praticamente quando intel produrrà in volumi a 22

ahiahi la vedo male per il futuro di amd nel campo dei proci
dav1deser11 Gennaio 2012, 19:01 #4
Originariamente inviato da: Major Clock
quindi amd sarà pronta a produrre in volumi con tecnologia a 32 nanometri nel 2012? Buono, praticamente quando intel produrrà in volumi a 22

ahiahi la vedo male per il futuro di amd nel campo dei proci


Forse sei poco aggiornato ma AMD produce in volumi a 32nm già da un pezzo...le APU Llano in vendita da giugno sono a 32nm, così come gli FX che sono in vendita da ottobre.
Major Clock11 Gennaio 2012, 22:34 #5
premesso che ho sempre avuto proci amd da quando mi son fatto il mio primo pc...... hai ragione non sapevo delle apu ma dei BD si, ma ottobre non è che sia passato "da un pezzo" e poi sui BD mi spiace ma ci sarebbero tante cose non proprio bellissime da dire.
Resta il fatto che intel ad aprile esce con gli Ivy Bridge e qui AMD annuncia produzioni in volumi a 32 nel 2012. Poi per carità, se queste nuove linee e sopratutto gli investimenti di IBM nella ricerca porteranno a colmare il gap con intel benissimo, ma certo che di distanza ce n'è parecchia da recuperare e a quanto pare il recupero non sarà nemmeno nel 2012
Slater9111 Gennaio 2012, 23:03 #6
Chiedo una spiegazione: come "prima fabbrica di semiconduttori" non si intende in senso temporale, vero?

http://en.wikipedia.org/wiki/List_o...facturing_sites
Fab name City Production start year Process (Wafer, node)
DID Hillsboro, Oregon, USA 2003 300 mm, 22 nm
DIC Hillsboro, Oregon, USA 2001 300 mm, 32 nm
Fab 12 Chandler, Arizona, USA 1996 300 mm, 65 nm
Fab 32 Chandler, Arizona, USA 2007 300 mm, 45/32 nm
Fab 42 Chandler, Arizona, USA 2013 300 mm, 14 nm
Fab 11x Rio Rancho, New Mexico, USA 2002 300 mm, 45/32 nm
Fab 17 Hudson, Massachusetts, USA 1998 200 mm

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