Memorie FeRAM: qualche problema per IBM?

Memorie FeRAM: qualche problema per IBM?

Big Blue avrebbe qualche ritardo nell'aggiornamento di una linea produttiva per la fornitura di soluzioni FeRAM a Ramtron

di Andrea Bai pubblicata il , alle 17:15 nel canale Mercato
IBM
 

Secondo alcune informazioni raccolte dal sito web EETimes, pare che IBM Corporation stia incontrando qualche difficoltà nelle operazioni di adeguamento delle fabbriche per la produzione di memorie FeRAM per conto di Ramtron International Corporation.

Ricordiamo che le memorie FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) sono in grado di unire la velocità di operazionale delle memorie DRAM alla capacità di mantenere le informazioni anche in assenza di refresh, caratteristica tipica delle memorie SRAM. A differenza delle memorea DRAM, inoltre, le quali aggiornano i condensatori periodicamente, le memorie ferroelettriche aggiornano i propri array solamente a seguito di un'operazione di lettura, la quale normalmente rende inservibile il contenuto delle celle di memoria. Se non viene effettuata alcuna lettura i dipoli elettrici non subiscono alcuna alterazione, mantenendo quindi l'informazione ad essi associata, e quindi non è necessario eseguire il ciclo di aggiornamento. Questa peculiare caratteristica consente alle memorie FeRAM di operare con un consumo di energia piuttosto contenuto.

Ramtron e IBM hanno stretto nel corso del 2009 un accordo per servizi di fonderia che prevedeva l'installazione delle tecnologie di processo di semiconduttori FeRAM all'interno degli stabilimenti IBM presso Burlington, nello stato del Vermont. Al tempo dell'accordo Ramtron suppose di poter avviare il primo ciclo di produzione di dispositivi FeRAM durante il 2010 utilizzando il processo di IBM a 180 nanometri. IBM diventerebbe così il secondo fornitore di semiconduttori FeRAM per Ramtron, accanto a Texas Instruments.

Commentando la situazione Bill Staunton, CEO di Ramtron, ha recentemente dichiarato: "Durante il quarto trimestre abbiamo continuato a portare avanti la transizione della fonderia IBM per prodotti a bassa densità. A causa delle operazioni di testing di qualifica non ancora completate, ci aspettiamo che la linea di IBM possa diventare produttiva per la metà del 2011, dopo di che avvieremo la produzione di dispositivi da consegnare ai nostri clienti per le loro verifiche".

Il CEO di Ramtron ha poi aggiunto: "Come menzionato nel nostro report dei risultati del terzo trimestre, l'elevata domanda per i nostri prodotti in anticipo sulla tabella di marcia della transizione delle fabbriche ha messo pressione sulla nostra capacità. Per poter riuscire a soddisfare gli ordinativi abbiamo progettato e stiamo effettuando ora il sampling e le consegne di prodotti sostitutivi che possano essere realizzati come prodotti supplementari da IBM e Texas Instruments.

Ne' IBM, ne' Ramtron, direttamente interpellati, avrebbero comunque fornito una posizione diretta in merito alla questione.

6 Commenti
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Tedturb012 Gennaio 2011, 18:08 #1
ma perche' produrre chip a 180 nanometri quando si potrebbero produrre con processi produttivi molto piu avanzati?
Pleg12 Gennaio 2011, 18:17 #2
Non tutto viene bene a processi piu' avanzati.
La logica digitale si', ma altre cose no -- circuiti analogici e memorie sono due cose che e' scalano male.
Inoltre, usare nodi piu' vecchi e' molto piu' economico.
fgpx7812 Gennaio 2011, 18:17 #3
Originariamente inviato da: Tedturb0
ma perche' produrre chip a 180 nanometri quando si potrebbero produrre con processi produttivi molto piu avanzati?


Probabilmente il processo non è ancora affinato per poter scendere a miniaturizzazioni superiori.
Trattandosi di Ferro, la sua conduzione potrebbe creare problemi con l'avvicinarsi degli elementi?
II ARROWS12 Gennaio 2011, 22:15 #4
Oltretutto si parla dei primi prodotti, quelli in cui si fanno alcuni test... non quelli che andranno in commercio e quindi devi farne tante e puntare anche alle prestazioni.
lucusta12 Gennaio 2011, 22:26 #5
le Feram sono costituite da un unico elemento che funziona come un condensatore, ma essendo in ferro potrebbe avere una differente soglia di energia minima rispetto ai condensatori che si usano sulle DRAM e nelle flash, quindi mignaturizzando gli effetti potrebbero essere diversi.
fatto sta' che anche a 180nm, essendo composte da un unico elemento per cella, hai comunque il doppio di densita' rispetto alle DRAM, e visto che non soffrono dispersioni possono essere accostati molto di piu' (in un elemento DRAM solo 1/3 dello spazio di una cella e' occupato da elementi attivi, i 2/3 restanti servono come isolante).
i vantaggi energetici sono comunque enormi rispetto alle DRAM (non esiste refresch, come nelle flash), e rispetto alle flash ( sono veloci quasi quanto le DRAM), e oltretutto permettono stati operativi a "zero spesa energetica" per i device che utilizzano standby avanzati ma che devono rimanere accesi sempre e comunque per non cancellare i dati dalla ram (come negli smartphone e nei PDA in genere)... il confronto e' notevolmente a favore delle FeRam, visto che non hanno bisogno minimamente di avere il refresh ogni tot cicli.

se non le miniaturizzano probabilmente e' dovuto al fatto che hanno problemi nell'ottenere una carica consistente nella singola cella.
LMCH12 Gennaio 2011, 23:24 #6
Originariamente inviato da: fgpx78
Probabilmente il processo non è ancora affinato per poter scendere a miniaturizzazioni superiori.
Trattandosi di Ferro, la sua conduzione potrebbe creare problemi con l'avvicinarsi degli elementi?


La maggior parte dei materiali ferroelettrici non contiene ferro.

FeRAM significa "RAM ferroelettrica", nel senso che sfrutta un fenomeno ferroelettrico (chiamato così perché è un fenomeno di isteresi elettrica che sotto vari aspetti è l'analogo elettrico del ferromagnetismo che invece è un fenomeno di isteresi magnetica).

Infatti il primo materiale ferroelettrico noto è stato il "sale di Rochelle" (tartrato di sodio e potassio).
Nei chip se non sbaglio si usa il titanato di piombo e zirconio.

Uno dei motivi per cui si usano fab "vecchie" è che la maggior parte dei materiali ferroelettrici contaminano in modo grave le fab.

Nel senso che dopo che hai usato un impianto per produrre FeRAM poi devi decontaminare in modo pesante la fab se vuoi ritornare a produrre chip cmos e simili (sostituire completamente parti dei macchinari troppo contaminate, "neutralizzare" le tracce contaminanti disperse nell'ambiente degli edifici ecc. ecc.).

In pratica dopo aver prodotto una volta FeRAM, i macchinari e le clean room utilizzate sono praticamente buone solo per produrre altre FeRAM.

Inoltre che io sappia non è ancora chiaro quanto i circuiti FeRAM siano scalabili, dal punto di vista economico sarebbe quindi rischiosissimo usare un impianto "nuovo".

Per questo stanno usando impianti "vecchi" a tecnologia 180nm.

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