Micron a tutto campo sulla produzione dei semiconduttori

Micron a tutto campo sulla produzione dei semiconduttori

Il COO Mark Durcan espone la visione dell'azienda in merito a molte attuali tematiche sul mondo della produzione di semiconduttori

di Andrea Bai pubblicata il , alle 12:09 nel canale Mercato
 

Durante gli ultimi mesi Micron Technology ha più volte avuto modo di effettuare importanti annunci tecnologici, a testimonianza di una rinnovata e fiorente attività nel campo della ricerca e sviluppo, in modo particolare nel settore delle memorie NAND. Attualmente Micron sta preparandosi ad avviare le operazioni di produzione su una linea NAND con processo a 25 nanometri, con piani di ulteriore affinamento per il breve termine. Per quanto riguarda il versante DRAM la compagnia sta operando su una linea produttiva a 42 nanometri, con i prodotti a 3x-nanometri in fase di sviluppo.

In occasione dell'Industry Strategy Symposium presso la cittadina californiana di Half Moon Bay Mark Durcan, presidente e COO di Micron, ha avuto modo di illustrare, nel corso di una presentazione una serie di temi inerenti alla produzione delle memorie. Le informazioni sono state raccolte da EEtimes, che le ha proposte in questo articolo.

Una prima interessante informazione che emerge dalla presentazione di Durcan è l'attività di Micron attorno ai chip 3D Through-Silicon Via (di seguito TSV), ovvero di una struttura di chip organizzati a stack (cioè impilati tra loro) che permetterà di realizzare moduli memoria dalla maggiore densità (ne abbiamo parlato in questo articolo riguardante i futuri standard nel campo delle memorie).

Micron sta ora inviando ai propri clienti i prototipi di chip 3D TSV: Durcan ha sottolineato pertanto come si tratti di tecnologia reale e non di fantascienza. Sul fronte della produzione in volumi non è stato fornito un riferimento temporale preciso e con grossa probabilità sarà necessario attendere ancora dai 12 ai 18 mesi prima che tali soluzioni possano passare alla fase di produzione commerciale. Tra i concorrenti d Micron attualmente impegnati nello sviluppo di soluzioni 3D TSV vi sono realtà come Toshiba, Elpida e, ovviamente, la coreana Samsung.

Sul versante degli stabilimenti, Micron ha effettuato con successo una transizione completa aggiornando gli equipaggiamenti delle fabbriche e passando così da una produzione che fa uso di wafer a 200mm a wafer a 300mm. Nel campo della produzione dei semiconduttori un tema particolarmente discusso riguarda ora l'opportunità di passare all'impiego di wafer da 450mm di diametro (e a tal proposito ricordiamo come recentemente Intel abbia già pensato a predisporre la propria fabbrica DX1 in Oregon per un'eventuale produzione futura a 450mm). Micron non pare essere particolarmente entusiasmata da questo tema: premettendo che l'eventuale passaggio ad una produzione con wafer da 450mm comporterebbe un completo e costoso rinnovamento delle fabbriche, Durcan sostiene che prima di passare effettivamente ai 450mm sarà necessario appurare che esista effettivamente il vantaggio di costo stimato per un fattore di 2,5x rispetto alla produzione a 300mm. Durcan sostiene invece con maggiore fermezza la tecnologia Extreme Ultraviolet (della quale abbiamo parlato anche qui), che tuttavia comporta un importante lavoro in termini di infrastrutture.

Sul fronte degli investimenti e delle spese per capitali, invece, Micron sostiene che nel 2011 sarà Samsung a sorpassare tutti i concorrenti, con un volume di spesa previsto tra i 2,4 e i 2,9 miliardi di dollari. Del resto l'azienda coreana dispone di risorse ben più ingenti rispetto a quanto possibile a molti dei suoi concorrenti e la stessa Micron afferma che per poter competere con Samsung sarà necessario investire le risorse in maniera più accorta ed intelligente. Durcan afferma, in maniera sibillina, che per quanto concerne le tecnologie di processo Micron ha ancora molti "assi nella manica" per poter stare al passo nella competizione.

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