Produzione wafer, solo il 27% è per i processi produttivi al di sotto dei 40nm

Produzione wafer, solo il 27% è per i processi produttivi al di sotto dei 40nm

I moderni processi di produzione di semiconduttori occupano solamente un quarto della capacità totale: molti dispositivi ancora realizzati con i processi maturi a 80, 130 e 180 nanometri

di Andrea Bai pubblicata il , alle 14:01 nel canale Mercato
 

Solamente poco più di un quarto della capacità globale di produzione di semiconduttori è dedicata alla realizzazione di circutiti integrati utilizzando geometrie di processo inferiori ai 40 nanometri. Questo è quanto emerge dal resoconto Global Wafer Capacity 2013 della società di analisi di mercato IC Insights. Dal rapporto emerge inoltre come una porzione significativamente ampia della capacità produttiva resti dedicata ai processi produttivi maturi con geometrie di "grosse" dimensioni.

IC Insights divide la capacità produttiva in sei scaglioni: al di sotto dei 40 nanometri, tra 40 e 60 nanometri, tra 60 e 80 nanometri, tra 80 e 200 nanometri, tra 200 e 400 nanometri e oltre i 400 nanometri.

Alla fine del 2012 il 27% della capacità produttiva globale è stata dedicata a elementi con geometrie al di sotto dei 40 nanometri: in questa categoria rientrano le memorie DRAM ad alta densità, prodotte di norma con processi tra i 30 ed i 20 nanometri, memorie flash ad elevata densità, prodotte tra i 20 e i 10 nanometri ed infine i processori ad elevate prestazioni e i vari ASIC, ASSP e FPGA, basati su tecnologie a 32, 28 o 22 nanometri.

Il 22% circa della capacità produttiva è invece dedicato ai processi tra gli 80 e i 200 nanometri, principalmente i processi a 90, 130 e 180 nanometri. Si tratta di processi produttivi maturi e che sono ampiamente utilizzati dalle fonderie come TSMC, UMC, GlobalFoundries, SMIC e TowerJazz per produrre una vasta gamma di soluzioni per la loro clientela.

Meno comuni, almeno in termini di share sulla capacità totale, risultano le tecnologie comprese tra i 60nm e gli 80nm (principalmente le soluzioni con processo produttivo a 65nm) e quelle tra i 200 ed i 400 nanometri (sostanzialmente i processi a 250 e 350 nanometri).

E' interessante però osservare come la categoria di circuiti integrati al di sopra dei 400 nanometri continui a mantenere un buono share sulla capacità totale sebbene siano trascorsi più di 15 anni da quando i processi a 500 nanometri venivano considerati all'avanguardia. La principale ragione è che vi sono grandi quantità di dispositivi analogici e logiche general-purpose che devono essere realizzati con processi affidabili. A ciò si aggiungono i circuiti integrati ad alta tensione che richiedono geometrie di processo di grosse dimensioni.

IC Insights compone inoltre una classifica dei produttori più attivi per ciascuno scaglione, e in maniera poco sorprendente emerge come Samsung, Intel, Toshiba/SanDisk, SK Hynix e Micron siano le principali realtà nella fascia al di sotto dei 40 nanometri. Per quanto riguarda invece le tecnologie di processo oltre i 200 nanometri si contano una serie di produttori di chip analogici e mixed-signal.

2 Commenti
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Lollo614 Aprile 2013, 10:38 #1
Perché "solo il 27%? mi sembra una percentuale alta se si pensa a quanta elettronica di consumo viene prodotta. Processori, chipset e GPU a parte, tutto il resto é prodotto con tecnologie ben al di sopra dei 40nm, quindi il dato che piú di 1/4 della produzione é rappresentato da tecnologia spinta mi pare tutt'altro che da sottovalutare.
Raghnar-The coWolf-14 Aprile 2013, 16:57 #2
Infatti anch'io non capisco il tenore del "solamente".

Non è che tutti i transistor prodotti servono per fare da CPU all'avanguardia. Persino all'interno degli smartphone più moderni gli accelerometri o i sensori della batteria non sono certo prodotti con tecnologie a 22nm ad esempio!

Per non parlare di tutte le lavastoviglie programmabili, i telefoni fissi, gli orologi da polso, le sveglie elettroniche...etc... e questo è solo quello che ho davanti agli occhi.

Io al contrario trovo sbalorditivo che il taglio più utilizzato sia il leading edge inferiore ai 40nm!!

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