TSMC posticipa al 2018 la produzione a 450mm

TSMC posticipa al 2018 la produzione a 450mm

La fonderia taiwanese rallenta i piani per l'avvio della produzione con wafer a 450mm adottando una strategia più conservativa. L'adozione della litografia Extreme Ultraviolet potrebbe avvenire in un secondo momento

di Andrea Bai pubblicata il , alle 11:01 nel canale Mercato
 

La fonderia taiwanese TSMC sta seguendo con molta attenzione lo scenario attorno alle tecnologie di produzione per i wafer in silicio da 450 millimetri di diametro, così come dimostra anche il recente accordo di investimento siglato con l'olandese ASML, il principale fornitore di strumenti di litografia per semiconduttori, che impegna la fonderia Taiwanese a supportarla nelle attività di ricerca e sviluppo legate proprio alla produzione a 450mm e alla litografia Extreme Ultraviolet.

Nonostante ciò pare che l'azienda taiwanese abbia leggermente ritoccato i piani per l'avvio della produzione commerciale con wafer da 450 millimetri, posticipandola di qualche anno. Allo stato attuale delle cose TSMC ha intenzione di mettere in operatività le linee pilota a 450mm nel periodo 2016-2017, così come indicato da J.K. Wang, vicepresident of operations per TSMC in occasione di un recente evento stampa al Semicon Taiwan. Secondo le informazioni disponibili la roadmap di TSMC per la transizione a 450mm è stata delineata e la compagnia intende dare il via alla produzione commerciale con wafer a 450mm nel corso del 2018.

La nuova tabella di marcia pare essere più conservativa rispetto ai piani precedentemente divulgati: lo scorso anno TSMC ha infatti dichiarato che avrebbe dato il via nel corso del 2013-2014 alla produzione pilota a 450mm presso la Fab12 utilizzando il processo a 20 nanometri per poi approdare alla produzione commerciale tra il 2015 e il 2016. L'azienda taiwanese pare invece aver posticipato di almeno due anni i propri piani, che la porteranno così ad utilizzare i wafer a 450mm con il processo produttivo a 10 nanometri e con i transistor FinFET. Bin Lin, vicepresidente ricerca e sviluppo per TSMC, sostiene che la compagnia utilizzerà ancora la litografia ad immersione con i transistor da 16nm e da 10nm, dal momento che la tecnologia Extreme Ultraviolet è considerata essere non ancora matura. Solo le tecnologie produttive oltre i 10nm faranno uso di litografia Extreme Ultraviolet o multi e-beam. Il percorso scelto da TSMC differisce, per confronto, da quello di Intel che ha intenzione di allestire la produzione a 450mm e la litografia Extrme Ultraviolet contemporaneamente.

Attualmente tuttavia non è chiara la ragione per la quale TSMC abbia deciso di rallentare il percorso di transizione verso i 450mm. Nel caso la decisione sia stata condizionata da un cambio di rotta avvenuto in ASML sulla produzione dei macchinari a 450mm è lecito attendersi qualche correzione anche nelle strategie di Intel e Samsung, che assieme a TSMC hanno aderito al programma di investimento e sviluppo di ASML.

2 Commenti
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elevul08 Settembre 2012, 20:49 #1
Ogni volta che leggo notizie del genere mi rendo conto della spaventosa quantità di soldi che vengono spesi alla base della produzione di tutta la tecnologia che abbiamo ora, fino al punto che le aziende non possono fare molto in casa, ma devono fare fronte comune per poter far fronte alle incredibili spese...
PhoEniX-VooDoo09 Settembre 2012, 12:33 #2
TSMC ha un logo terrificante

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