TSMC prossima ad avviare la produzione low-power a 28nm?

Secondo alcune indiscrezioni provenienti dall'oriente pare che TSMC sia inenzionata ad avviare la produzione low-power a 28 nanometri nel corso del quarto trimestre dell'anno. Nel caso i fatti dovessero dare riscontro a queste voci di corridoio, TSMC sarebbe la prima realtà a poter offrire una produzione a 28 nanometri.

Stando a quanto si apprende potrebbe essere Altera il primo cliente a utilizzare il processo a 28nm di TSMC con la produzione di un Field Programmable Grid Array. Il processo che TSMC dovrebbe utilizzare è quello definito 28LP, che farà uso di materiali di precedente generazione come silicio policristallino e nitrato ossido di silicio.

L'avvio della produzione a 28 nanometri da parte di TSMC sembra però essere in ritardo rispetto a quanto originariamente pianificato. Nel corso del mese di febbraio, infatti, Shang-Yi Chiang, senior VP di R&D per TSMC dichiarò che la produzione a 28 nanometri sarebbe stata avviata nel corso del terzo trimestre: "Il primo processo che stiamo preparando per la produzione a 28nm è chiamato 28LP. Si tratta della nostra versione poly gate e nitrato ossido di silicio. Daremo il via alla produzione alla fine di giugno, circa quattro mesi da ora, e sarà destinata ad applicazioni low power".

Secondo le opinioni degli osservatori, TSMC avvierà la produzione a 28 nanometri inizialmente in volumi limitati e presso lo stabilimento Fab 12. TSMC non ha rilasciato alcun commento sulle informazioni in circolazione.