Micron ed Intel uniti per i 20 nanometri

Micron ed Intel uniti per i 20 nanometri

Le due aziende nord-americane annunciano oggi il raggiungimento del nuovo processo produttivo per memorie NAND flash a 20 nanometri

di Gabriele Burgazzi pubblicata il , alle 17:28 nel canale Periferiche
Intel
 

Parte dei progressi tecnologici in ambito informatico deriva direttamente dai processi produttivi: la possibilità di miniaturizzare sempre più la struttura dei componenti permette di migliorare e soprattutto andare a ridurre i costi di produzione.

L'annuncio diramato oggi da Micron e Intel va proprio in questa direzione: le due note aziende nord-americane comunicano infatti il raggiungimento del processo produttivo a 20 nanometri per le memorie NAND Flash. Si tratta della prima volta sul mercato che un simile processo viene impiegato per le memorie.

I 20 nanometri saranno impiegati per produrre chip di memoria NAND flash di tipo MLC da 8GB, che misureranno solamente 118mm2. La possibilità di sviluppare chip di questo tipo consentirà di fornire a dispositivi di storage (SSD, media player portatili e smartphone) moduli di elevata capacità senza dover scendere a compromessi con lo spazio a disposizione.

La crescita del segmento mobile ed handheld del mercato ha portato, nel corso degli ultimi anni, ad un diretto aumento della domanda di memoria NAND flash.

I nuovi moduli da 8GB prodotti a 20 nanometri misurano solamente 118mm2 e consentono di garantire una riduzione dello spazio sul PCB compreso tra il 30 e il 40% (a seconda del package) se paragonate alle attuali soluzioni a 25 nanometri. La riduzione dello spazio occupato rappresenta un elemento di fondamentale importanza per i produttori che possono così andare a modificare i design, collocando un maggior numero di componenti e funzioni.

8GB confronto
Confronto di chip da 8GB realizzati con differenti processi produttivi

Prodotte da IM Flash Technologies (IMFT), la joint venture di Intel e Micron, i nuovi chip da 8GB prodotti a 20 nanometri rappresentano un importante paso in avanti per la tecnologia flash.

Lo shrink e il passaggio di processo produttivo a 20 nanometri, infatti, rappresenta la soluzione migliore per ridurre i costi di produzione: è possibile infatti incrementare del 50% la capacità in GB complessiva prodotta da una fabbrica rispetto alla tecnologia attualmente impiegata. Rispetto al processo a 25 nanometri non ci sono differenze prestazionali o di durata nel tempo.

I primi moduli a 20 nanometri sono stati distribuiti ai partner in questi giorni, mentre la produzione su larga scala comincerà solo nela seconda metà del 2011. Intel e Micron prevedono inoltre di riuscire a sviluppare chip con capacità di 16GB: in questo modo sarebbe possibile avere un dispositivo con capacità di 128GB ma più piccolo di un francobollo.

8 Commenti
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Micene.114 Aprile 2011, 17:33 #1
128gb in un francobollo...ottimo...

oddio a me pure se sti 128gB me li splalmano su un'area piu vasta mi va bene

la cosa piu interessante è che dovrebbero diminuire ancora di piu i prezzi...
Ste powa14 Aprile 2011, 19:17 #2
di quanto ho capito però con i 25nm si è diminuito un po la durata di queste memorie : non è che poi con i 20 nm diminisce ancora ? spero di no .

In ogni caso spero che ibm proceda con quell' esperimento che era un' unione tra hd e ssd : gli hd sono lentini e gli ssd sono troppo cari
avvelenato14 Aprile 2011, 19:19 #3
Originariamente inviato da: Micene.1
128gb in un francobollo...ottimo...

oddio a me pure se sti 128gB me li splalmano su un'area piu vasta mi va bene

la cosa piu interessante è che dovrebbero diminuire ancora di piu i prezzi...


la vedo un po' dura, mi sa che il prezzo rimarrà costante ma le capacità aumenteranno... probabilmente si alzerà la soglia d'ingresso, nel senso che se un ssd da 40gb entry level (con performance non da urlo, anche se comunque superiori a qualsiasi hdd) lo paghi 75 euro, finirai per pagare 75 euro un ssd da 60 o 80gb, e le performances comunque saranno sempre ridotte a causa dell'utilizzo di meno chip nand, quindi meno canali, meno parallelelizzazione nella scrittura ecc.

Di buono c'è che si potrebbe assistere alla democratizzazione degli ssd, che potrebbero finalmente entrare nelle grazie degli OEM. Di cattivo c'è che per avere performances ottimali bisognerà alzare il tiro: se, prendendo in considerazione i vertex II, il top della velocità lo si raggiungeva già dai modelli a 120gb, i vertex III hanno il loro apice col modello da 240gb (e dal costo inarrivabile per un utente non enthusiast).
Micene.114 Aprile 2011, 19:44 #4
Originariamente inviato da: avvelenato
la vedo un po' dura, mi sa che il prezzo rimarrà costante ma le capacità aumenteranno... probabilmente si alzerà la soglia d'ingresso, nel senso che se un ssd da 40gb entry level (con performance non da urlo, anche se comunque superiori a qualsiasi hdd) lo paghi 75 euro, finirai per pagare 75 euro un ssd da 60 o 80gb, e le performances comunque saranno sempre ridotte a causa dell'utilizzo di meno chip nand, quindi meno canali, meno parallelelizzazione nella scrittura ecc.

Di buono c'è che si potrebbe assistere alla democratizzazione degli ssd, che potrebbero finalmente entrare nelle grazie degli OEM. Di cattivo c'è che per avere performances ottimali bisognerà alzare il tiro: se, prendendo in considerazione i vertex II, il top della velocità lo si raggiungeva già dai modelli a 120gb, i vertex III hanno il loro apice col modello da 240gb (e dal costo inarrivabile per un utente non enthusiast).


mah diciamo che lo shrink ha come immediato effetto la diminuzione dei costi unitari di produzione diretti...quindi se nn abbassano i prezzi c'è cartello...cosa rara nel settore semiconduttori
coschizza14 Aprile 2011, 23:07 #5
Originariamente inviato da: Ste powa
di quanto ho capito però con i 25nm si è diminuito un po la durata di queste memorie : non è che poi con i 20 nm diminisce ancora ? spero di no .

In ogni caso spero che ibm proceda con quell' esperimento che era un' unione tra hd e ssd : gli hd sono lentini e gli ssd sono troppo cari


certo che la durata diminuisce ancora è un processo naturale perche è legato alla dimensione delle celle e dei vari gate che lo compongono.

Le nand hanno sempre avuto questo limite e lo avranno sempre, quando arriveremo a un livello di durata troppo basso allora si pasera alle PCM o alle MRAM, oppure si tornera alle NAND SLC. Nel breve periodo abbiamo le EMLC e le ESLC che durano circa 6 volte di piu e sono adatte all'uso in ambiente enterprise.
†Garv†14 Aprile 2011, 23:57 #6
Originariamente inviato da: Ste powa
In ogni caso spero che ibm proceda con quell' esperimento che era un' unione tra hd e ssd : gli hd sono lentini e gli ssd sono troppo cari


Esistono già unità ibride, i momentus XT
http://www.seagate.com/www/it-it/products/laptops/laptop-hdd/

Li trovi anche a un prezzo molto abbordabile.
Ste powa15 Aprile 2011, 10:00 #7
Esistono già unità ibride, i momentus XT
http://www.seagate.com/www/it-it/pro...ps/laptop-hdd/

Li trovi anche a un prezzo molto abbordabile.

No , intendevo un' altra .Comunque di unità ibride ne avevo già viste , ma non mi ispirano molto
sigmun15 Aprile 2011, 11:13 #8
Originariamente inviato da: Ste powa
In ogni caso spero che ibm proceda con quell' esperimento che era un' unione tra hd e ssd : gli hd sono lentini e gli ssd sono troppo cari


HD odierni lentini??........magari sei giovane e non hai presente i "Winchester" degli anni '70, con motori passo-passo per muovere le testine ??

Va bene che il progresso è inarrestabile, però a volte bisognerebbe
anche darsi una calmata

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