Samsung, chip MLC 3 bit per cell anche sugli SSD enterprise

La diffusione sempre maggiore di Solid State Drive è collegata a filo diretto con i progressi fatti nel campo dei chip NAND Flash in termini di prezzo, affidabilità e capienza: l'attenzione a questi parametri ha permesso di realizzare SSD sempre più veloci, capienti e soprattutto economici, ormai alla portata di tutti. Fino a qualche anno fa non era così: i primi SSD erano basati soprattutto su chip di tipo SLC (Single Level Cell) molto costosi, per quanto performanti e affidabili.

Con il tempo si sono perfezionate le tecniche produttive e sono stati introdotti i chip MLC (Multi Level Cell) 2 bit per cell, che pagano qualcosa in termini di durata nel tempo rispetto agli SLC, ma che hanno reso possibile la realizzazione di SSD sempre più economici e capienti. Un passo ulteriore è stato fatto con i chip MLC 3 bit per cell, ritenuti i chip NAND Flash consumer per eccellenza in quanto economici e in grado di far raggiungere alle unità capienze elevate, pur dovendo lavorare un po' di più a livello di algoritmi di gestione per arginare diverse problematiche soprattutto in termini di durata.

Il progresso tecnologico però ha permesso di minimizzare enormemente questi limiti, tanto che Samsung ha presentato proprio in questi giorni un SSD destinato al mondo dei server equipaggiato con chip NAND Flash MLC 3 bit per cell. Si tratta di una prima assoluta, poiché in questo settore la fanno da padrona i chip SLC e MLC 2 bit per cell. Il fatto dimostra quindi che Samsung si fida molto dei propri chip MLC di ultima generazione, azzardando quello che finora nessuno aveva fatto. La nuova serie prende il nome di PM853T ed è interamente realizzata in casa, a partire dal controller fino ad arrivare appunto ai chip MLC 19nm 3 bit per cell.

I tagli disponibili sono di 240, 480 e 960GB, mentre per quanto riguarda l'affidabilità Samsung dichiara un random 4K write workload (scritture totali) rispettivamente di 165TB, 330TB e 665TB. L'interfaccia è di tipo SATA 6Gbps, con prestazioni dichiarate di 530MB/s in lettura e 430MB/s in scrittura. Altri dettagli sono disponibili nella press release ufficiale.