Dalla Purdue University nuova tecnologia per le memorie ferroelettriche

Dalla Purdue University nuova tecnologia per le memorie ferroelettriche

I ricercatori della Purdue University sviluppano una nuova tecnologia a basata su nanocavi di silicio e con un polimero ferroelettrico: minor consumo e maggiori prestazioni rispetto alle memorie convenzionali

di Andrea Bai pubblicata il , alle 07:56 nel canale Scienza e tecnologia
 

Un gruppo di ricercatori della Purdue University sono al lavoro per sviluppare un nuovo tipo di memoria per computer che, almeno sulla carta, potrebbe essere più veloce delle tradizionali tecnologie di memoria attualmente in commercio e in grado di impiegare minor energia rispetto alle soluzioni flash.

La nuova tecnologia è basata sull'impiego di nanocavi di silicio e di un polimero ferroelettrico, che ha la particolarità di variare la propria polarità nel momento in cui viene applicato un campo elettrico, rendendo così possibile la realizzazione di un nuovo tipo di transistor ferroelettrico.

La variazione di polarità del transistor potrà essere letta come 0 o come 1, riconducendosi così al principio fondamentale del codice binario che consente di stoccare e gestire l'informazione nei circuiti digitali. La nuova tecnologia è stata denominata FeTRAM, un acronimo che indica "Ferroelectric Transistor Random Access Memory". Il dottorando Saptarshi Das ed il professor Joerg Appenzeller hanno illustrato le proprie scoperte in una pubblicazione sulla rivista Nano Letters della American Chemical Society.

La nuova tecnologia FeTRAM consente di realizzare memorie di tipo non volatile, ovvero in grado di conservare le informazioni anche in assenza di corrente. Secondo quanto illustrato dai ricercatori le memorie basate su tecnologia FeTRAM sono in grado, almeno sulla carta, di impiegare il 99% in meno di energia rispetto alle convenzionali memorie flash.

I ricercatori però ammettono: "Il dispositivo che abbiamo realizzato consuma più energia perché non è ancora adeguatamente dimensionato. Per le future generazioni di tecnologia FeTRAM uno degli obiettivi principali sarà quello di ridurre la dissipazione di energia".

La tecnologia FeTRAM soddisfa tre basilari funzioni della memoria per computer: leggere e scrivere informazioni e mantenerle per prolungati periodi di tempo. Das commenta: "Si vuole una memoria che duri il più a lungo possibile e che sia in grado di leggere e scrivere quante volte possibile. Dovrebbe essere a basso consumo per evitare che il tuo portatile si surriscaldi e deve essere scalabile, cioè deve permettere di accorpare molti dispositivi in una piccola area. L'utilizzo di nanocavi di silicio assieme a questo polimero ferroelettrico è stato motivato da tutte queste considerazioni".

Secondo le informazioni disponibili, la nuova tecnologia è compatibile con i processi di produzione CMOS, utilizzati ordinariamente per la produzione dei chip per computer. Questa nuova tecnologia presenta interessanti potenzialità, tali da renderla un possibile sostituto delle memorie utilizzate attualmente.

La tecnologia FeTRAM a cui stanno lavorando i ricercatori dela Purdue University impiegano un materiale ferroelettrico come le memorie FeRAM, ma a differenza di queste ultime hanno la possibilità di eseguire operazioni di lettura di tipo non distruttivo, cioè di mantenere il contenuto della cella di memoria anche a seguito di una operazione di lettura.

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