IBM, buoni risultati nel test con lo scanner EUV di ASML

IBM, buoni risultati nel test con lo scanner EUV di ASML

La litografia EUV è ancora in fase di sperimentazione: IBM riesce ad ottenere risultati molto interessanti con un nuovo scanner di ASML, anche se la produzione in volumi è ancora lontana

di Andrea Bai pubblicata il , alle 12:11 nel canale Scienza e tecnologia
IBM
 

Superando ogni previsione e aspettativa, IBM è riuscita ad ottenere risultati molto interessanti dopo il primo giorno intero di testing dell'ultimo sistema di litografia EUV realizzato dall'olandese ASML. Lo scanner NXE3300B, questo il nome del macchinario, è stato capace di esporre 637 wafer in 24 ore ad un ritmo stabile di 34 wafer all'ora, impiegando una fonte luminosa a 44W.

La litografia EUV (Extreme Ultraviolet), come abbiamo avuto modo più volte di sottolineare, è la principale candidata per la realizzazione degli schemi di circuiteria per i processori di prossima generazione poiché permette di tracciare pattern estremamente precisi a dimensioni molto ridotte. Si tratta di una tecnologia complessa, alla quale le varie realtà impegnate nella produzione di semiconduttori stanno lavorando da oltre 10 anni. Nonostante gli ultimi risultati, seppur molto positivi, la litografia EUV sarà pronta per la produzione commerciale non prima del nodo a 7 nanometri, il che dovrebbe significare non prima del 2020.

Nel primo giornio di test condotti presso il laboratorio di ricerca IBM di Albany, nello stato di New York, lo scanner ha avuto un tempo di attività del 77%: "Abbiamo avuto qualche interruzione sul nostro percorso, altrimenti avremmo realizzato più di 800 wafer al gorno" ha dichiarato Dan Corliss, responsabile del programma di sviluppo EUV per IBM.

Il gruppo di lavoro coordinato da Corliss ha messo a punto la calibrazione dello scanner per oltre due mesi. I primi componenti sono stati ricevuti a partire dallo scorso novembre e comprendevano inizialmente una fonte luminosa da 25W. La fonte luminosa relativamente debole rappresenta da sempre una delle sfide principali per i sistemi di litografia EUV, dal momento che ostacola la capacità di mantenere un tasso di produzione di 100 wafer all'ora, il minimo indispensabile per la produzione ad elevati volumi. Corliss spera di poter ottenere da ASML una fonte luminosa a 80W nei prossimi sei mesi.

Il precedente sistema EUV utilizzato da IBM ha permesso di esporre solamente 7 wafer al giorno mentre l'ultimo sistema di ASML, secondo le dichiarazioni dell'azienda olandese, è stato accreditato di un tasso di produzione di 145 wafer al giorno, mentre i test hanno appunto superato le aspettative: "Siamo enormemente sorpresi dai nostri risultati. Abbiamo lavorato a questa tecnologia per 12 anni e questo è un momento positivo da condividere con il settore. Ma non è come essere nella produzione ad alti volumi, abbiamo ancora molto lavoro da fare per approdarvi" ha spiegato Corliss.

Ci sono ancora problemi da risolvere per poter compiere i passi necessari verso la produzione commerciale. IBM sta ora cercando di capire per quale motivo la fonte luminosa talvolta non funzioni e sta affrontando una serie di noie minori, tra cui i difetti delle photomask.

ASML intanto, in occasione del recente Semicon West di San Francisco, ha annunciato di essere al lavoro su una particolare membrana che viene usata come filtro negli scanner ad immersione di oggi. Si tratta di un elemento particolarmente desiderato dai produttori di chip. Corliss mostra però un atteggiamento di cautela e curiosità nei confronti della nuova membrana di ASML: "Si tratta di un progetto di ricerca, ed è il motivo per cui abbiamo disposto un'infrastruttura parallela. Il settore accoglierebbe con favore la membrana se fosse ampiamente disponibile, facile da usare, di lunga durata e senza impatto sulla qualità d'immagine".

1 Commenti
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massimo79m31 Luglio 2014, 21:52 #1
Ibm e' sempre stata avanti, c'e' poco da fare.
negli ultimi anni e' stata un po' "dietro le quinte", ma ha sempre innovato

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