IBM: silicon photonics pronta per la produzione commerciale

IBM ha compiuto un importante passo avanti nello sviluppo delle tecnologie di interconnessione ottica, verificando la possibilità di approdare alla produzione commerciale della tecnologia denominata silicon nanopohonics utilizzando le normali tecniche proprie del settore dei semiconduttori e, per la prima volta, impiegando un processo produttivo al di sotto dei 100 nanometri.

Silicon nanophotonics sono i termini che identificano una tecnologia che prevede la coesistenza su un singolo chip di elementi tradizionali elettronici ed elementi ottici, in maniera tale da sfruttare le proprietà delle pulsazioni luminose per consentire il trasferimento di grossi moli di dati sia tra chip, sia tra sistemi, datacenter e supercomputer.

La quantità di dati creati e trasmessi sui network enterprise continua a crescere sull'onda dell'esplosione di nuove applicazioni e nuovi servizi. La silicon nanophotonics, che si prepara ora allo sviluppo commerciale, permette al settore di tenere il passo con le sempre maggiori richieste e necessità di prestazioni e di potenza computazionale.

John E. Kelly, Senior Vice President and Director per IBM Research, ha commentato: "Questa rivoluzione tecnologica è il risultato di oltre un decennio di ricerca pionieristica di IBM. Tutto ciò ci permette di spostare la tecnologia silicon nanophotonics in un mondo reale di produzione che avrà impatto su una vasta gamma di applicazioni".

Partendo dal proof-of-concept elaborato nel 2010, IBM è riuscita a superare i principali punti nodali per portare la tecnologia silicon nanophotonics nelle fonderie commerciali. Stando alle informazioni rilasciate da IBM, è sufficiente aggiungere alcuni moduli di processo ad una linea di produzione CMOS a 90 nanometri per integrare, accanto alla circuiteria elettrica CMOS tradizionale, una varietà di elementi indispensabili per le comunicazioni ottiche come WDM (wavelength division multiplexers), modulatori e rilevatori. Diventa così possibile realizzare transceiver ottici su singolo chip in una normale fonderia di semiconduttori, con significative riduzioni di costi rispetto ad altri approcci.

Yurii A. Vlasov, responsabile del progetto Silicon Nanophotonics per IBM Research, ha commentato: "Tra una serie di nodi tecnologici CMOS disponibili in IBM, abbiamo scelto il nodo a 90 nanometri come base per l'integrazione della silicon nanophotonics, dal momento che risponderà ai requisiti di prestazioni per le comunicazioni ottiche del prossimo decennio, ai voluti costi bassi".

IBM illustrerà nel dettaglio i propri progressi in occasione dell'IEEE International Electron Devices Meeting di San Francisco dal 10 al 12 dicembre, nella sessione intitolata "A 90nm CMOS Integrated Nano-Photonics Technology for 25Gbps WDM Optical Communications Applications".

Per maggiori informazioni sul progetto Silicon Nanophotonics di IBM rimandiamo all'articolo: IBM, un percorso di quattro anni nella silicon photonics.