Il futuro delle memorie è nei materiali multiferroici

Il futuro delle memorie è nei materiali multiferroici

Realizzato un nuovo materiale capace di combinare proprietà magnetiche e ferroelettriche: potrebbe rappresentare un candidato ideale alla realizzazione di memorie

di Andrea Bai pubblicata il , alle 11:11 nel canale Scienza e tecnologia
 

Un gruppo di ricercatori del The City College of New York collaborando assieme alla Drexel University, al Brookhaven National Laboratory e alla South University of Science and Technology in Cina, ha sviluppato un nuovo tipo di materiale, un ossido complesso, che viene descritto come il possibile "sostituto definitivo per la memoria flash".

Il lavoro è stato incentrato sullo sviluppo di un singolo materiale in grado di combinare proprietà magnetiche e ferroelettriche, ovvero un "multiferroico". Combinare insieme queste due proprietà rende possibile controllare le cariche usando campi magnetici e controllare lo spin applicando una tensione. Questo può condurre ad un nuovo approccio alla progettazione nel campo dei circuiti logici e nel campo della spintronica.

Negli scorsi anni i ricercatori del Tyndall National Institute in Irlanda hanno suggerito la possibilità di adottare tecniche di deposizione di strati atomici per depositare ossidi di terre rare e creare così una "chiavetta USB da un terabyte nel futuro immediato".

La nuova ricerca è di fatto un'evoluzione ulteriore di quanto emerso in Irlanda, e ha permesso di sviluppare un processo mediante il quale realizzare ossidi complessi utilizzando elementi comuni come bario, titanio e manganese. Il nuovo materiale fa parte del gruppo dell'Hollandite, un minerale composto da manganato di bario e manganese. I risultati della nuova ricerca confermano le previsioni che gli scienziati hanno elaborato da quasi due decenni, ovvero che sostanze inorganiche di questo tipo hanno una natura ferroelettrica.

Stephem O'Brien, associate professor di chimica al The City College, ha commentato: "Il sacro graal in questo campo è l'unione di elementi magnetici e ferroelettrici a temperatura ambiente con una sufficiente grado di interazione". Anche J.F. Scott, conosciuto come il "padre dei ferroelettrici integrati" ha più volte osservato come i multiferroici possano avere un futuro nel campo della realizzazione di dispositivi di memoria.

2 Commenti
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calabar23 Settembre 2014, 16:09 #1
Sarebbe interessante se fosse approfondito il motivo per cui avere un materiale con proprietà magnetiche e ferroelettriche sia un vantaggio nella produzione di memorie.
Ok, posso controllare le cariche e lo spin, ma questo in concreto a cosa porta?
hibone24 Settembre 2014, 00:58 #2
Originariamente inviato da: calabar
Sarebbe interessante se fosse approfondito il motivo per cui avere un materiale con proprietà magnetiche e ferroelettriche sia un vantaggio nella produzione di memorie.
Ok, posso controllare le cariche e lo spin, ma questo in concreto a cosa porta?


avere proprietà magnetiche dovrebbe permettere di mantenere stabile lo stato del sistema, mentre quelle elettriche permettono di manipolarlo. Questo significa che la memoria è statica, e quindi non richiede refresh per mantenere memorizzato il dato, mentre la tensione necessaria ad alterarlo risulta bassa.

a spanne una famiglia di materiali di questo tipo sono le perovskiti

http://www.digikey.com/Web%20Export...rroelectric.pdf

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