L'intelligence USA finanzia lo sviluppo di memorie magnetiche a 8-bit per cella

Crocus Technology, una compagnia che sviluppa tecnologie MRAM (Magnetic Random Access Memory) ha stretto un contratto con lo IARPA - Intelligence Advanced Research Projects Activity - per lo sviluppo di una tecnologia MRAM che permetta di raggiungere una densità di storage di 8-bit per cella.

Crocus è una compagnia fondata a Grenoble nel 2006 e nel 2011 ha sottoscritto un accordo del valore di 300 milioni di dollari per la realizzazione di una joint-venture con Rusnano, la società russa controllata dallo stato che promuove le attività legate allo sviluppo del settore delle nanotecnologie.

Lo IARPA è invece l'ente statunitense, direttamente alle dipendenze dell'intelligence nazionale, che si occupa di investimenti ad alto rischio (ma ad elevato ritorno potenziale) che possano offrire agli USA un vantaggio di intelligence significativo sugli avversari. Il contratto dello IARPA rappresenta la prima fase di un progetto di sviluppo multi-bit cell che dovrà essere completato nel giro di un anno.

In particolare Crocus è stata ingaggiata per spingere ulteriormente in avanti lo sviluppo dell'architettura Magnetic Logic Unit (MLU) ed eccedere il limite dell'attuale stato dell'arte in termini di bit conservati per cella di memoria. Questi progressi consentiranno di ridurre l'energia consumata per la scrittura di bit al di sotto di quella delle altre tecnologie di memoria, incluso DRAM, Flash e SRAM. La struttura a 8-bit per cella sarà impiegata per migliorare la sicurezza dei chip e le prestazioni dei processori crittografici. La possibilità di stoccare più bit per cella rendono infatti più complesse le azioni dei criminali informatici che utilizzando i noti metodi di analisi crittografica.

Crocus lavorerà per combinare le tecnologie Axial Induced Moment (AIM) e Multi Junction Magnetic Tunnel Junction (MJM). La tecnologia AIM si basa sull'angolo del vettore del momento magnetico per codificare i dati binari in una cella magnetica. Crocus progetta l'impiego della tecnologia AIM con 16 angoli di storage, arrivando a 4-bit per cella AIM. A questo punto entra in gioco la struttura MJM che usa due barriere di potenziale impilate in una singola cella MLU. In una struttura che combina AIM e MJM, i due strati di storage MJM operano ciascuno supportando un vettore rotante di storage AIM. La struttura in questo modo è capace di stoccare 16 stati in ciascuno dei due strati di storage indipendente, ovvero 256 possibili stati pari ad una densità di 8 bit per cella.

Douglas Lee, responsabile dello sviluppo per Crocus Technology, ha commentato: "AIM e MJM sono strutture magnetiche rivoluzionarie nell'architettura MLU di Crocus che consentono capacità di storage senza precedenti fino a 8-bit per cella. L'attuale stato dell'arte per le memorie a stato solido non volatili è di 3 o 4 bit per cella, come le memorie NAND flash, e sta raggiungendo i limiti fisici delle tecnologie di memoria floating gate. Lo stato dell'arte delle memorie MRAM è invece di 1 bit per cella".

"L'architettura multi-bit MLU di Crocus consente nuove e uniche applicazioni che non sono affrontabili attualmente con qualsiasi altra tecnologia di memoria magnetica o a stato solido. Queste nuove applicazioni sono di particolare valore per le applicazioni di sicurezza, in particolare per la loro abilità di offrire capacità senza precedenti per quanto riguarda l'autenticazione e la resistenza alla manomissione, una più elevata densità di memoria con le attuali infrastrutture di produzione litografica ed una gamma di temperature operative che si spingono fino a 200°C" ha dichiarato Bertrand F. Cambou, executive chairman di Crocus Technology.

Il valore del contratto non è stato reso noto.