Micron e A*STAR: sviluppo congiunto di memorie STT-MRAM

Micron e A*STAR: sviluppo congiunto di memorie STT-MRAM

Le due realtà collaboreranno per sviluppare nuove memorie basate sulla tecnologia Spin Transfer Troque Magnetic Random Access Memory, dedicate alla prossima generazione di soluzioni di storage

di Andrea Bai pubblicata il , alle 16:05 nel canale Scienza e tecnologia
 

Micron Technology e l'A*STAR Data Storage Institute di Singapore (del quale abbiamo già avuto modo di parlare recentemente su Hardware Upgrade) hanno annunciato di aver raggiunto un accordo per collaborare allo sviluppo di soluzioni di memoria non-volatile basate sulla tecnologia spin transfer torque magnetic random access memory (STT-MRAM), che promette di essere una interessante alternativa per la realizzazione dei prodotti di storage di prossima generazione.

Si tratta di memorie che basano il loro funzionamento dell'effetto di Spin-transfer torque che permette di variare la direzione di un campo magnetico utilizzando una corrente spin-polarizzata: direzioni opposte del campo magnetico determinano differenti resistenze al passaggio della corrente, che possono così essere utilizzare per rappresentare l'unità di informazione in un sistema binario. Già nel corso del 2007 IBM e TDK avevano annunciato un progetto congiunto sullo sviluppo di questa tecnologia di memoria.

Attualmente sono le memorie NAND Flash le soluzioni di memoria non-volatile che dal punto di vista commerciale hanno saputo guadagnare il maggior successo: una testimonianza è rappresentata dalla rapida crescita della domanda per soluzioni di storage SSD per sistemi desktop e portatili. Come spesso sottolineato, i vantaggi di questo tipo di soluzioni rispetto ai tradizionali hard disk sono rappresentati, oltre che dalle prestazioni, anche da una maggiore robustezza data l'assenza di parti in movimento, che le rende meno suscettibili a danni fisici rispetto ai dischi con piatti rotanti.

Di contro, tuttavia, è ben noto il problema della vita relativamente limitata dei chip NAND Flash, che sono caratterizzati da cicli di lettura-scrittura limitati e finiti (siamo nell'ordine dei 5000 cicli, equivalenti grossomodo a 4-5 anni di attività). Per questo motivo nel settore delle memorie si stanno cercando tecnologie alternative alle memorie NAND Flash in grado di ovviare a questi inconvenienti, e le memorie SST-MRAM sembrano essere molto promettenti da questo punto di vista.

Nel contesto dell'accordo siglato tra le due parti è previsto un impegno per investimenti congiunti nella ricerca per lo sviluppo di dispositivi STT-MRAM per i prossimi tre anni. I ricercatori Micron e DSI lavoreranno a stretto contatto con l'obiettivo di portare avanti lo sviluppo di memorie STT-MRAM ad elevata densità.

Scott DeBoer, vicepresidente R&D per Micron, ha commentato: "Micron sta lavorando attivamente a diversi programmi di sviluppo per tecnologie di memorie emergenti e siamo lieti di collaborare con DSI per esplorare il potenziale della tecnologia STT-MRAM".

"DSI è entusiasta di questa collaborazione con Micron. Questo prova il nostro successo nell'attrarre il migliore ecosistema di R&D a Singapore per la prossima generazione di memoria non-volatile" ha dichiarato Pantelis Alexopolous, Executive Director di DSI. "Credo che questa sia una grande opportunità per DSI dal momento che possiamo unire la nostra competenza tecnologica nelle STT-MRAM con la capacità di Micron nello sviluppo di prodotti memoria".

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