Samsung: test per i 20nm nella seconda metà del 2011

Nel corso della giornata di mercoledì, tramite questo post pubblicato sul corporate blog, Samsung Electronics ha fatto sapere di avere intenzione di avviare la produzione di test del processo a 20 nanometri nel corso della seconda metà del 2011, mettendo a disposizione dei propri clienti i primi test shuttle. Con questa dichiarazione Samsung è il primo produttore di semiconduttori a promettere l'avvio dei test a 20nm nel 2011.

Ana Hunter, vicepresidente dei servizi foundry della regione del Nord America per Samsung, ha dichiarato: "La nostra tecnologia a 20 nanometri sarà un pieno shrink dai 28nm, che ci permetterà di ottenere una riduzione della superficie del 50%, ovvero ciò che l'industria si aspetta ad ogni nuova generazione di tecnologia. La tecnologia è stata progettata per permetterci di mantenere la leadership in quanto a dimensioni del die e costi, che rimangono elementi critici per i clienti che usano processi d'avanguardia. I test-chip shuttle per i clienti inizieranno nella seconda metà dell'anno".

Scendendo ulteriormente nei dettagli, Hunter afferma che il processo a 20nm prevede l'impiego dei materiali High-K Metal Gate e dei concetti di integrazione che sono stati impiegati a partire dal processo a 32nm. A ciò si aggiunge l'impiego di materiali dielettrici di tipo ultra-low k, al fine di ridurre la dissipazione energetica, e un nuovo approccio alla realizzazione delle interconnessioni allo scopo di poter eliminare uno strato metallico. Il processo a 20 nanometri prevede inoltre l'impiego della tecnologia strained silicon di quinta generazione che consentirà di ridurre la dissipazione termica e di ottenere uno switching più efficiente. Infine la litografia ad immersione a 193nm sarà affiancata da un'ottimizzazione delle mashere per contenere la necessità di impiegare la tecnica di double-patterning, che risulta dispendiosa in termini di tempo e risorse.

Per il passaggio alla fase di produzione commerciale sarà tuttavia necessario attendere ancora qualche anno, verosimilmente sino al 2013-2014. I chip che attualmente vengono prodotti a 40 nanometri contengono tra i due e i tre miliardi di transistor, i chip prodotti a 28 nanometri ne integrano dai quattro ai sei miliardi, mentre i processori che saranno prodotti a 20nm saranno capaci di integrare dagli otto ai 12 miliardi di transistor: indicativamente tali processori potranno esprimere un livello prestazionale superiore di tre volte a quanto possibile con i processori odierni. Parallelamente l'affinamento del processo produttivo consentirà di contenere il consumo energetico.