Ulteriori passi avanti nel campo delle memorie resistive

Ulteriori passi avanti nel campo delle memorie resistive

L'Università di Londra sviluppa una tecnologia di memoria resistiva utilizzando ossido di silicio, in grado di operare a temperatura e pressione ambiente

di Andrea Bai pubblicata il , alle 08:01 nel canale Scienza e tecnologia
 

Ancora novità nel mondo delle memorie a memristore, o Resistive RAM, con l'University College London che impiegando l'ossido di silicio è stata capace di sviluppare un chip in grado di operare a temperatura e pressione ambiente, preparando la strada alla realizzazione di memore ad elevate prestazioni.

Le memorie Resistive RAM vengono sviluppate utilizzando ossidi di metallo e sono basate su un principio di funzionamento che prevede la variazione della resistenza nel momento in cui viene applicata una tensione. La variazione della resistenza viene conservata anche in assenza di corrente. I ricercatori dell'UCL hanno sviluppato una struttura basata su ossido di silicio, che consente di operare lo switching resistivo in maniera più efficiente rispetto a quanto ottenuto fino ad ora. Nel materiale utilizzato dai ricercatori la disposizione degli atomi di silicio varia per formare dei filamenti di conduzione all'interno dell'ossido. La presenza o l'assenza di questi filamenti rappresenta lo switch da uno stato all'altro.

A differenza di altri chip in ossido di slicio attualmente in fase di sviluppo, il chip realizzato dai ricercatori UCL non richiede condizioni di vuoto atmosferico per poter operare e per questo motivo risulta essere più economico e durevole nel tempo. Tony Kenyon, professore di ingegneria elettrica ed elettronica presso l'UCL, ha commentato: "I nostri chip di memoria ReRAM impiegano un millesimo dell'energia e sono un centinaio di volte più veloci di un chip di memoria flash standard".

La nuova tecnologia ReRAM sviluppata dai ricercatori dell'Università di Londra è stata individuata accidentalmente durante lo studio dell'impiego dell'ossido di silicio per la produzione di LED. Durante questo progetto i ricercatori hanno osservato una certa instabilità dei dispositivi e indagando più a fondo hanno osservato che il materiale impiegato non era instabile in maniera casuale ma variava tra stati di conduzione e di non-conduzione in maniera abbastanza prevedibile.

"Questo materiale ha enormi potenzialità. Durante le sperimentazioni abbiamo mostrato la possibilità di programmare il chip usando il ciclo tra due o più stati di conduzione. Siamo entusiasti che il nostro dispositivo possa rappresentare un importante passo avanti nella direzione di nuovi chip di memoria in silicio" ha commentato Adnan Mehonic, studente UCL che ha lavorato allo studio del materiale. Il team sta ora esplorando la possibilità di utilizzare questa tecnologia non solo per la realizzazione di elementi di memoria, ma anche per elementi di computazione.

5 Commenti
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birmarco22 Maggio 2012, 12:03 #1
RAM che non si cancellano... sarebbe il massimo anche solo per quello. Addio tempi di boot, consumo energetico ridotto al minimo soprattutto nei pda
supertigrotto22 Maggio 2012, 12:31 #2

buffalo ha appena lanciato un ssd

Che al posto della ram come cache usa la reram....
megawati22 Maggio 2012, 19:34 #3
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.
LMCH22 Maggio 2012, 20:34 #4
Originariamente inviato da: megawati
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

Comunque saranno un GROSSO salto in avanti rispetto alle flash, senza dubbio.


Senza contare che già con le tecnologie attuali possono arrivare tranquillamente fino a 3nm, nel senso che senza dover usare nuovi materiali, senza dover riprogettare i componenti delle celle di memoria, con un "semplice" shrinking si possono produrre celle con feature size di 3nm.

Infatti il vero problema nel produrle a quella scala d'integrazione saranno i diodi ed i transistor (che vengono usati nella circuiteria di indirizzamento e scrittura/lettura delle celle).

In ogni caso è una buona notizia, attualmente siamo a 22..20nm, con le ReRam si apre la possibilità di un incremento teorico di 36 volte della densità delle memorie allo stato solido.
calabar22 Maggio 2012, 20:40 #5
Originariamente inviato da: megawati
L'articolo dice che sono molto più veloci delle FLASH ram, non delle normali RAM DDR e tantomeno della cache RAM statica, quindi scordatevi di vederle soppiantate da queste :-)

E riguardo alle RAM, invece, hai qualche numero di confronto?

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