Intel e Micron: tecnologia air-gap per le memorie a 25nm

Intel e Micron: tecnologia air-gap per le memorie a 25nm

La joint-venture IM Flash Technologies annuncia di aver impiegato la tecnologia air-gap per la realizzazione di prodotti commerciali NAND a 25nm

di Andrea Bai pubblicata il , alle 17:03 nel canale Server e Workstation
Intel
 

In occasione dell'International Electron Device Meeting (IEDM), Intel Corporation e Micron hanno illustrato una serie di dettagli riguardanti il processo produttivo NAND a 25 nanometri, rivelando inoltre di aver usato per la prima volta la tecnologia air-gap all'interno di un prodotto commerciale.

La joint-venture IM Flash Technologies LLC, compartecipata dalle due aziende, ha già annunciato ed avviato le consegne delle prime soluzioni realizzate con processo a 25 nanometri, senza sottolineare però l'impiego della tecnologia air-gap. L'esemplare che Intel e Micron hanno illustrato in occasione dello IEDM è un dispositivo Multi-Level Cell da 64 Gigabit, ove la cella di memoria ha una dimensione di 0,0028 micrometri quadri.

Si tratta di una tecnologia che prevede l'isolamento dei conduttori di rame all'interno di un chip utilizzando delle aree vuote, in maniera tale che la capacità elettrica possa essere contenuta il più possibile e permettere così maggiori frequenze operative e/o una minore dispersione di energia. Nel caso in cui, infatti, due cavi di rame si trovino a distanze particolarmente ridotte, si verifica un fenomeno fisico per il quale l'energia elettrica viene trasferita vicendevolmente dall'uno all'altro, andando ad pregiudicare il funzionamento corretto del dispositivo e causando, come detto, dispersione di energia sottoforma di calore.

Il pitch-scaling particolarmente spinto porta ad un incremento nella capacità tra word-line, così come ad un incremento nell'interferenza tra celle. E' in questo frangente che entra in gioco la tecnologia air-gap: inserendo dei cuscinetti di vuoto tra le word line e le bit-line (rispettivamente le righe e le colonne di un array memoria) diventa possibile contenere i fenomeni dovuti alla capacità elettrica e risolvere i problemi ad essi correlati.

La tecnologia air-gap è stata oggetto di ricerca e sviluppo anche presso i laboratori IBM da diverso tempo: nel corso del 2007 Big Blue ne annunciò l'integrazione in una linea produttiva presso gli stabilimenti di East Fishkill, dichiarando che i primi prodotti commerciali ad utilizzare tale tecnologia sarebbero stati resi disponibili nel corso del 2009. Ad ora, tuttavia, ancora nessuna traccia di soluzioni IBM basate su tecnologia air-gap.

5 Commenti
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Unrealizer07 Dicembre 2010, 17:08 #1
Originariamente inviato da: Redazione di Hardware Upgrade
Link alla notizia: http://www.businessmagazine.it/news...25nm_34695.html

La joint-venture IM Flash Technologies annuncia di aver impiegato la tecnologia air-gap per la realizzazione di prodotti commerciali NAND a 25nm

Click sul link per visualizzare la notizia.


e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore
Ale8807 Dicembre 2010, 19:16 #2
Beh... ma anche prima che ci fosse il vuoto tra le piste si formavano condensatori. Solo che ora la capacità parassità si calcola con la epsilon dell'aria anziché del diossido di silicio.
Se ti interessa ho trovato anche la sezione di una realizzazione di un chip da parte di IBM: clicca (2.5 MB)
Chelidon07 Dicembre 2010, 20:06 #3
Originariamente inviato da: Unrealizer
e con le capacità parassite come fanno?

due pezzi di metallo separati da aria fanno un condensatore

Il punto è proprio quello, il vuoto è il dielettrico migliore in quanto ha la costante dielettrica più bassa: vai proprio a ridurre le capacità parassite a parità del resto.

Più che altro immagino che non sia proprio banale dover fare una crescita lasciando degli spazi vuoti, invece di metterci qualcosa di compatto come un qualsiasi dielettrico tipo ossido di silicio..
Calish Drasith08 Dicembre 2010, 12:49 #4
ehm, vuoto e aria son due concetti prettamente distinti, eh...
Ale8808 Dicembre 2010, 15:56 #5
Vero! Però c'è da dire che il confronto da fare è quello tra come era prima (ossido) e come è ora (aria/vuoto, non so quale grado di vuoto siano riusciti a raggiungere)!

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