Nuovi dettagli sulle cpu Intel Tulsa

Nuovi dettagli sulle cpu Intel Tulsa

Al debutto nella seconda metà dell'anno le nuove architetture Xeon MP, dotate di una cache di terzo livello condivisa da ben 16 Mbytes

di Paolo Corsini pubblicata il , alle 15:14 nel canale Server e Workstation
Intel
 

In occasione della International Solid State Circuits Conference, evento che si sta svolgendo in questi giorni a San Francisco, Intel ha reso pubblici alcuni dettagli della propria nuova piattaforma Dual Core per architetture Xeon MP.

Tulsa è il nome in codice di questo prodotto, alcune caratteristiche del quale sono già state presentate dal produttore americano in occasione di precedenti edizioni del proprio Developer Forum.

Queste cpu sono attese al debutto nel corso della seconda metà del 2006, e verranno identificate dalla sigla 7000. La principale caratteristica tecnica di questi processori è data dalla cache L3 integrata on die, in quantitativo di ben 16 Mbytes.

Tulsa integra ben 1.328 milioni di transistor, valore giustificato principalmente dalla dimensione della cache di terzo livello. In abbinamento a questa troviamo una cache di secondo livello da 1 Mbyte per ciascun core.

La superficie del Die, complice l'elevato quantitativo di memoria cache integrata nel Die, è pari a ben 435 millimetri quadrati. All'aumentare della superficie del Core, come noto, si ha un incremento dei costi di produzione e un numero inferiore di chip che possono essere costruiti a partire da un singolo wafer.

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wafer con processori Intel Xeon MP basati su core Tulsa

La cpu avrà al debutto una frequenza di clock massima pari a 3,4 GHz, in abbinamento a voltaggio di alimentazione di 1.25V. La frequenza di bus sarà di 667 MHz oppure di 800 MHz a seconda delle versioni, ovviamente di tipo Quad Pumped, mentre per il TDP massimo si prevede una diminuzione a circa 150 watt per cpu fisica, contro i circa 165 watt delle cpu Xeon MP basate su core Paxville disponibili al momento attuale in commercio.

20 Commenti
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[JaMM]08 Febbraio 2006, 15:50 #1
domanda da ignorante: ma xkè i wafer non sono quadrati? fossero quadrati si sfrutterebbe tutto lo spazio disponibile ottenendo die da tutto il silicio, mentre vedo che invece in quei wafer tondi alcuni die sono "tagliati" e immagino inutilizzabili. qualcuno può chiarire?
Xenogears08 Febbraio 2006, 15:51 #2
Un bel passo avanti riguardo ai consumi e alla cache di terzo livello da ben 16 MB!!!
lowenz08 Febbraio 2006, 15:51 #3
lol, superato il miliardo di transistor
axse08 Febbraio 2006, 15:52 #4

150W

wow! una bella lampadina alogena.....
MisterG08 Febbraio 2006, 16:03 #5
I wafer sono rotondi per motivi di processo tecnologico.
1) vengono realizzati affettando letteralmente dei cilindri di silicio. La lavorazione di uncilindro permette di controllare in maniera migliore l'UNIFORMITA' della massa di silicio rispetto a un parallelepipedo
2) il processo di mascheratura nella lavarozazione dei semiconduttori prevede la stesura di una pellicola che allo stato originale è liquida. Ne viene quindi depositata qualche ml sul wafer e stesa mediante rotazione ad alta velocità dello stesso (come fosse un disco su un lettore per intenderci). La forma discoidale permette anche qui di controllare le forze centrifughe e quindi l'uniformità della pellicola che si ottiene dall'essicazione della soluzione deposta
3) l'incisione degli strati di ossido nella lavorazione dei semiconduttori prevede l'utilizzo di acidi corrosivi e lavaggio degli stessi alla fine del trattamento. Per rimuovere i residui di acidi nella prima fase e di soluzione neutra nella seconda fase viene sempre impiegata la rotazione ad alta velocità del wafer, anche in questa fase la forma discoidale permette un miglior controllo delle forze centrifughe e quindi il raggiungimento di più alte velocità e quindi una più efficiente pulizia della superficie del wafer.

Salut
vincino08 Febbraio 2006, 16:19 #6
Mi sembra di ricordare che i wafer sono rotondi xchè sono legati al sistema di incisione dei transistor che è di tipo ottico. Quindi immagina che i wafer sono + o - come la lente che serve alla lavorazione. Quaesta dovrebbe essere la spiegazione molto grossolana, ma se cerchi sulla rete senz'altro trovi spiegazioni + approfondite
coschizza08 Febbraio 2006, 17:02 #7
Originariamente inviato da: vincino
Mi sembra di ricordare che i wafer sono rotondi xchè sono legati al sistema di incisione dei transistor che è di tipo ottico. Quindi immagina che i wafer sono + o - come la lente che serve alla lavorazione. Quaesta dovrebbe essere la spiegazione molto grossolana, ma se cerchi sulla rete senz'altro trovi spiegazioni + approfondite


diciamno che non ci sei nemmeno andato vicino
ma la spiegazione di MisterG è perfetta
Bulfio08 Febbraio 2006, 17:24 #8
Si parte da una punta di silicio cristallino, senza imperfezioni. Questa punta viene inserita in una vasca di silicio che si trova a temperatura di fusione (quindi è "molliccio"; nella vasca, intorno alla punta, che è chiamata seme, si attacca un po' di silicio; il seme viene poi tirato fuori, ma mentre il seme scende e poi sale, lo stesso seme ha un movimento rotatorio intorno al suo asse, per dare uniformità al wafer che verrà fuori. Si usa un seme senza imperfezioni che entra in una vasca di silicio fuso perchè il silicio fuso che si attacca al seme e poi, fuori dalla vasca, si raffredda, assumerà la struttura del seme stesso, e dato che il seme ha struttura cristallina, anche il resto del silicio avrà la stessa struttura uniforme, cosa che non accadrebbe se la vasca fosse lasciata raffreddata in maniera "autonoma"; ci sarebbero quindi un casino di imperfezioni. A furia di scendi/sali, si genera il cilindro di silicio, che poi viene tagliato con una sega a filo di diamante.
MisterG08 Febbraio 2006, 17:55 #10
Originariamente inviato da: vincino
Mi sembra di ricordare che i wafer sono rotondi xchè sono legati al sistema di incisione dei transistor che è di tipo ottico. Quindi immagina che i wafer sono + o - come la lente che serve alla lavorazione. Quaesta dovrebbe essere la spiegazione molto grossolana, ma se cerchi sulla rete senz'altro trovi spiegazioni + approfondite

Hai confuso alcune idee e ottenuto una deduzione sbagliata.
Le incisioni (per usare le tue parole) non vengono eseguite per via ottica ma per corrosione. L'ottica centra solo nella fase appena precedente alla fase di corrosione ovvero nella mascheratura. In pratica la pellicola che viene applicata come al punto due di quando ho detto sopra è fotosensibile, quindi è possibile mediante esposizione a fonte luminosa disegnarsci sopra il negativo delle geometrie che si vogliono ottenere sugli strati di ossido di accrescimento del silicio e che successivamente verrano preservate dall'attacco degli acidi.

Salut

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