Processo a 20 nanometri per TSMC nel 2012

TSMC ha annunciato di voler saltare lo sviluppo della tecnologia produttiva a 22 nanometri, passando direttamente all'evoluzione successiva a 20 nanometri. Le previsioni indicano per TSMC l'inizio della produzione cosiddetta "risk", cioè quella con i primi wafer di test su prodotti dei clienti, per la seconda metà del 2012.

L'annuncio ufficiale è stato fatto da TSMC nel contesto del Technology Symposium, evento interno nel quale TSMC ha mostrato ai propri circa 1.500 clienti la propria roadmap di evoluzione tecnologica e i piani di investimento per i prossimi anni. Il passaggio diretto alla tecnologia a 20 nanometri dovrebbe permettere di ottenere una maggiore densità dei transistor e una migliore scalabilità delle prestazioni, con un livello di costo di fatto allineato a quello del processo a 22 nanometri.

Quali saranno le specifiche tecniche della nuova tecnologia produttiva? TSMC ha indicato l'utilizzo di high-K metal gate di tipo avanzato, strained silicon e interconnessioni in rame ultra-low-K di tipo a bassa resistenza.

Al momento attuale TSMC è impegnata con la produzione di chip per conto dei propri clienti utilizzando tecnologia produttiva a 40 nanometri, che così tanti problemi iniziali in termini di rese produttive ha dato sia ad ATI sia ad NVIDIA. L'azienda taiwanese ha già segnalato di non voler sviluppare tecnologia produttiva a 32 nanometri, passando direttamente al processo a 28 nanometri.

Con l'annuncio di questi giorni TSMC sembra confermare l'intenzione di non voler sviluppare processi a nodo intero, quali sono quelli a 32 nanometri e a 22 nanometri, specializzandosi nei cosiddetti "half-node" quali sono le tecnologie a 28 nanometri e a 20 nanometri.