RAM e Flash in un unico chip grazie ad un nuovo transistor?

RAM e Flash in un unico chip grazie ad un nuovo transistor?

La North Carolina State University sviluppa un nuovo tipo di transistor che potrebbe consentire l'unificazione di memorie volatili e non-volatili in un unico chip

di Andrea Bai pubblicata il , alle 09:54 nel canale Server e Workstation
 

I ricercatori della North Carolina State University hanno annunciato di aver sviluppato un nuovo dispositivo elettronico che potrebbe rappresentare un singificativo passo avanti nell'ambito delle memorie per computer, con la possibilità di rendere le server farm più efficienti dal punto di vista energetico e di consentire ai normali sistemi PC di avviarsi in maniera pressoché istantanea.

E' possibile suddividere l'ampia ed eterogenea famiglia delle memorie per computer in due grandi categorie: dispositivi "lenti" e non-volatili (mantengono l'informazione in assenza di corrente) per lo stoccaggio di informazioni in maniera persistente e dispositivi molto rapidi e volatili (perdono l'informazione in assenza di corrente) che non hanno lo scopo di conservare i dati ma di metterli a disposizione del sistema per effettuare operazioni. Nel primo caso rientrano le memorie per la realizzazione di flash drive, nel secondo caso i chip destinati alla memoria di sistema.

Il gruppo di ricercatori della North Carolina State University ha avuto modo di sviluppare un dispositivo "unificato" che può agire sia da memoria volatile, sia da memoria non-volatile con la possibilità di essere impiegata come memoria principale di sistema.

Spiega il dottor Paul Franzon, a capo del team di ricerca e co-autore del documento "Computing with Novel Floating-Gate Devices" in pubblicazione prossimamente su IEEE Computer: "Abbiamo inventato un nuovo dispositivo che può rivoluzionare il panorama della memoria comuptrer. Il nostro dispositivo è chiamato dobule floating-gate Field Effect Transistor (FET). Le attuali memorie non-volatili utilizzate nei dispositivi per lo stoccaggio dati fanno uso di un singolo floating gate, che conserva la carica elettrica che rappresenta l'unità fondamentale dell'informazione. Utilizzando due floating gate il dispositivo può stoccare un bit in modalità non volatile e/o può stoccarlo in modalità rapida e volatile, come la normale memoria di sistema".

Il FET a doppio floating gate consiste di due gate separati da uno strato isolante di ossido di silicio. Sopra al FET è collocato un gate di controllo che può cambiare lo stato del transistor applicando differenti voltaggi. Secondo le informazioni disponibili questo transistor è capace di una velocità di lettura di 0,31-2,18 nanosecondi ed un tempo di scrittura di 50ns per lo stato 1 e di 10µs per lo stato 0 quando opera in qualità di memoria non volatile, mentre il tempo di scrittura in modalità non-volatile è accreditato essere di 10-30 µs.

Il FET con doppio floating gate potrebbe avere un impatto significativo su numerose meccaniche di funzionamento dei computer. Sarebbe ad esempio possibile realizzare PC dall'avvio immediato, poiché il computer non dovrebbe andare a recuperare i dati dal suo hard disk dal momento che questi potrebbero essere stoccati nella memoria principale. La nuova memoria consentirebbe inoltre di poter realizzare sistemi in grado di disattivare parte della memoria di sistema per risparmiare energia, dal momento che le informazioni sarebbero comunque stoccate anche in assenza di corrente elettrica. Questa caratteristica, in ottica di server farm, permetterebbe di risparmiare una discreta quantità di energia nei momenti in cui vi sono bassi livelli di attività.

Commenta Franzon: "Il FET a doppio floating-gate potrebbe risolvere questo problema dal momento che i dati possono essere stoccati rapidamente nella memoria non-volatile e recuperati altrettanto velocemente. Questa caratteristica consente di disattivare porzioni della memoria durante periodi di bassa attività, senza ripercussioni sul piano delle prestazioni".

Non è noto alcun dettaglio sull'eventuale sviluppo commerciale di questa tecnologia.

12 Commenti
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Tedturb025 Gennaio 2011, 10:06 #1
ma non doveva uscire il memristore?
DevilsAdvocate25 Gennaio 2011, 10:16 #2

hum

10 us a scrittura significa 100Kbps, una miseria... per poter lavorare alla velocita' di una vera memoria RAM servirebbero oltre 1000 chip in parallelo....
Buby8425 Gennaio 2011, 10:20 #3
bah, di nuovi prodotti rivoluzionari se ne sente parlare ogni giorno, pero` effettivamente sono pochi quelli che poi entrano in commercio, aspetteremo qua pazientemente
xcavax25 Gennaio 2011, 10:47 #4
Originariamente inviato da: DevilsAdvocate
10 us a scrittura significa 100Kbps, una miseria... per poter lavorare alla velocita' di una vera memoria RAM servirebbero oltre 1000 chip in parallelo....


da quello che ho capito io è la velocità del singolo transistor... quindi il problema di averne tanti in parallelo secondo me non si pone!
sniperspa25 Gennaio 2011, 11:01 #5
Ma non c'è anche HP che sta sviluppando una cosa simile?in teoria doveva avviare la produzione nel 2013..
pabloski25 Gennaio 2011, 11:16 #6
hp sta sviluppando una memoria basata su memristori che è una bestia totalmente differente
djfix1325 Gennaio 2011, 22:54 #7
10nS sono come una memoria DDR non è male per essere una tecnica di partenza e non ottimizzata
iLeW25 Gennaio 2011, 22:58 #8
Originariamente inviato da: Tedturb0
ma non doveva uscire il memristore?

Quoto
Baboo8526 Gennaio 2011, 10:10 #9
Riusciranno a mantenere la velocita' e soprattutto la longevita'?

Non lo so con certezza ma credo che la ram non abbia nemmeno cicli di scrittura come potrebbero averlo delle memorie flash.

Avrei preferito che la Gigabyte continuasse a sviluppare meglio il suo iRam, che come idea non era male.
gela26 Gennaio 2011, 14:55 #10

Tempo di scrittura modalità non volatile

Scusate ma non riesco proprio a capire questa frase: "... tempo di scrittura di 50ns per lo stato 1 e di 10µs per lo stato 0 quando opera in qualità di memoria non volatile, mentre il tempo di scrittura in modalità non-volatile è accreditato essere di 10-30 µs."

1. Mi definite "operare in qualità di memoria non volatile"?
2. In modalità non volatile ci mette 10µs o 10-30µs in scrittura? Ci sono due informazioni diverse sul tempo in scrittura sulla stessa modalità, o sbaglio a capire la frase?

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