Samsung avvia la produzione delle memorie DDR4

Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi delle memorie DDR4 destinate all'impiego con i sistemi server enterprise in allestimenti datacenter. Le prime bozze delle specifiche delle memorie DDR4 sono state pubblicate dal JEDEC nel corso del mese di settembre 2012.

L'offerta di Samsung si compone di chip DRAM da 4Gbit realizzati con processo di classe 20 nanometri. Con questa terminologia, ricordiamo, Samsung si riferisce ad un processo produttivo con il quale è possibile realizzare transistor con gate della lunghezza compresa tra 20 e 29 nanometri.

I chip DRAM da 4Gbit vengono assemblati in moduli di memoria da 16GB e 32GB. Si tratta di moduli che vanno a sostituire i precedenti moduli di memoria da 8GB e 16GB basati su chip di tipo DDR3 e realizzati con processo di classe 30nm. I moduli DDR4 realizzati con i chip da 4Gbit sono caratterizzati da una velocità di trasferimento dati di 2,667 Gbit al secondo che rappresenta un incremento del 25% rispetto ai moduli DDR3 e permettono, al contempo, di ottenere un risparmio energetico superiore al 30%.

"Dopo aver offerto prestazioni all'avanguardia con la disponibilità dei moduli DDR3 da 16GB in precedenza nel corso dell'anno, stiamo ora continuando ad estendere il mercato server premium nel 2013 e ora ci focalizziamo sull'alta densità e su ulteriori prestazioni con i moduli DDR4 da 32GB" ha dichiarato Young-Hyun Jun, executive vice president of memory sales and marketing per Samsung.

Vi sono comunque alcuni dubbi se il mercato sia pronto al passaggio verso le memorie DDR4 con molti prodotti server e non che sono progettati per le precedenti memorie DDR3. Secondo alcuni analisti le nuove memorie DDR4 troveranno diffusamente posto nei sistemi server solo dal 2015.

Samsung non ha rilasciato informazioni sulla disponibilità e sul prezzo delle nuove memorie.