Samsung annuncia un nuovo chip eUFS da 512 GB

Samsung annuncia un nuovo chip eUFS da 512 GB

Samsung ha annunciato la nuova generazione di chip di tipo eUFS, dotata di 64 strati di memoria V-NAND per un totale di 512 GB di capacità. Ambito d'elezione quello della telefonia, senza però dimenticare le automobili

di Riccardo Robecchi pubblicata il , alle 11:41 nel canale Periferiche
Samsung
 

Samsung ha avviato la produzione di massa del primo chip con 512 GB di capacità di tipo eUFS (embedded Universal Flash Storage). Campo d'elezione per l'impiego di questi chip è quello della telefonia, con il Galaxy S9 che ben si presta ad ospitare questo tipo di chip.

Il chip è composto da 64 strati di V-NAND, ciascuno con una capacità di 512 Gb, e il controller, anch'esso impilato assieme alla memoria. La densità rispetto alla precedente generazione, composta da 48 strati nello stesso spazio, è raddoppiata.

In termini di prestazioni non c'è un grande salto in avanti rispetto alla precedente generazione con capacità di 256 GB: la lettura sequenziale arriva a 860 MB/s, mentre la scrittura sequenziale arriva a 255 MB/s. I dati restano, in ogni caso, degni di nota. Le letture casuali arrivano a 42.000 IOPS e le scritture a 40.000 IOPS.

Samsung punta principalmente al mercato della telefonia (in senso largo, includendo anche i tablet) con questo chip, ma ne prevede anche l'impiego all'interno di SSD di fascia elevata e nelle schede rimovibili. Non è da escludere nemmeno il suo utilizzo nel mercato automobilistico, che vede sempre più l'impiego di sensori che registrano dati. Come riportato da BusinessWire, l'azienda afferma che la produzione verrà incrementata "aggressivamente" nel prossimo futuro.

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