GlobalFoundries dimostra la possibilità di integrare TSV con il processo a 20nm

GlobalFoundries dimostra la possibilità di integrare TSV con il processo a 20nm

GlobalFoundries ha realizzato un chip utilizzando il processo 20nm-LPM ed integrando i TSV, piccoli elementi di conduzione per abilitare il passaggio di informazioni tra chip impilati

di Andrea Bai pubblicata il , alle 16:01 nel canale Scienza e tecnologia
 

Nel corso della giornata di martedì Globalfoundries ha dato dimostrazione del primo wafer pienamente funzionale con TSV (through-silicon vias) integrati realizzato utilizzando il processo produttivo 20nm-LPM, dimostrando la possibilità di integrare i TSV con minime alterazioni alla piattaforma tecnologica. La dimostrazione è avvenuta presso la Fab 8 della Contea di Saratoga, nello stato di New York. I TSV consentiranno ai clienti di Globalfoundries di collocare vari chip uno sull'altro, offrendo una alternativa per mettere a disposizione di clienti e pubblico le prestazioni e i requisiti di bandwidth dei dispositivi elettronici di oggi.

I TSV sono condotti verticali inseriti in un wafer di silicio, riempiti con materiale conduttore e che permettono le comunicazioni tra circuiti integrati impilati verticalmente. L'adozione di chip tridimensionali in stacking sta venendo vista sempre più come un'alternativa al tradizionale scaling dei processi produttivi a livello di transistor. Anche la tecnica TSV presenta comunque una serie di nuove sfide per i produttori di semiconduttori.

GlobalFoundries utilizza un apporccio "intermedio" all'integrazione TSV, inserendo i TSV nel silicio dopo che i wafer hanno completato il flusso FEOL (front end of the line) e prima di iniziare il processo BEOL (Back End of The Line). Questo approccio consente di evitare le elevate temperature del processo FEOL e permette quindi di utilizzare il rame come materiale riempitivo dei TSV. Per superare i problemi associati con la migrazione della TSV dai 28 ai 20 nanometri, gli ingegneri di Globalfoundries hanno sviluppato uno schema di protezione dei contatti proprietario che permette di integrare i TSV con una con minime alterazioni alla piattaforma 20nm-LPM. In questo modo Globalfoundries ha avuto la possibilità di dimostrare le funzionalità SRAM in linea con quelle del silicio processato con le tecniche standard a 20nm-LPM.

GlobalFoundries adotta un approccio collaborativo allo sviluppo delle nuove soluzioni, coinvolgendo direttamente i partner per ridurre costi e condividere rischi e per poter offrire ai clienti la massima scelta e flessibilità ed un più rapido avvio delle produzioni in volume.

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