Intel: Extreme Ultraviolet in ritardo anche per i 10nm

La litografia basata sulle tecniche di luce ultravioletta estrema (Extreme Ultraviolet Lithography - EUVL) potrebbe non giungere in tempo negli stabilimenti Intel per la futura produzione di chip a 10 nanometri. Il colosso di Santa Clara ha già stabilito i piani per estendere la tradizionale litografia ad immersione a 193nm alla produzione di chip a 14 nanometri, che saranno commercialmente disponibili nel corso della seconda metà del 2013. Intel spera quindi di poter impiegare le tecniche EUVL per la produzione di chip a 10 nanometri, previsti per la fine del 2015.

Intel sta attualmente definendo le regole di progettazione per il processo a 10 nanometri e sta aspettando inoltre le consegne dei primi macchinari di pre-produzione per le fasi di valutazione e testing. Sam Sivakumar, direttore della litografia per Intel, ha dichiarato in occasione del LithoVison di San Jose: "EUV è in ritardo per la definizione delle regole per i 10 nanometri, ma ha qualche possibilità di poter essere impiegata per la produzione se i macchinari finali saranno consegnati entro la seconda metà del 2012".

L'azienda di Santa Clara sta valutando due fornitori per la strumentazione EUV: ASML Holding e Nikon. La prima ha già avviato le consegne di uno strumento di pre-produzione ad IMEC (ne abbiamo parlato in questa notizia) e lo stesso macchinario sarà consegnato a breve anche ad Intel. Nikon sta invece portando avanti l'affinamento delle soluzioni presso i propri quartier generali in Giappone e grazie anche all'aiuto di Selete (Semiconductor Leading Edge Technologies). Sia ASML, sia Nikon stimano di avviare la consegna della strumentazione finale entro l'anno in corso.

I produttori di chip guardano con attenzione alla tecnica EUVL poiché rappresenta l'alternativa più promettente alle tecniche di double-patterning della litografia ottica, che sono complesse e costose ma necessarie per l'ulteriore affinamento dei processi produttivi. EUVL è stata in origine pensata per la produzione a 65 nanometri, ma una serie di problemi di varia natura ha causato numerosi ritardi, posticipandola sino ai processi successivi ai 20 nanometri.