Processo produttivo a 14 nanometri nel 2014 per GlobalFoundries
L'azienda americana produttrice per conto di varie aziende impegnate nel mercato dei semiconduttori annuncia la disponibilità di tecnologia a 14 nanometri di tipo XM, Extreme Mobility, per il 2014. Si tratta di un risultato che la pone allo stesso livello atteso da Intel
di Paolo Corsini pubblicata il 21 Settembre 2012, alle 17:21 nel canale Scienza e tecnologiaIntel
A partire dal 2014 GlobalFoundries punta ad avere a disposizione per i propri clienti la tecnologia produttiva a 14 nanometri di tipo XM, Extreme Mobility, basata sull'utilizzo di transistor tridimensionali di tipo FinFET. Si tratta di un risultato di notevole rilievo per l'azienda americana che la pone a livello di sviluppo di nuove tecnologie produttive di fatto in modo allineato a Intel.
Ricordiamo come GlobalFoundries sia nata dall'unione degli investimenti di Mubadala, fondo d'investimento degli Emirati Arabi, con le fabbriche produttive di AMD, rilevate nel corso del 2010 e diventate prime sedi produttive dell'azienda. In seguito GlobalFoundries ha rilevato Chartered, azienda di Singapore impegnata nella produzione di semiconduttori per conto terzi, oltre a iniziare la costruzione di una nuova sede produttiva nello stato di New York.
Dallo schema di evidenzia come il passaggio tra la tecnologia produttiva a 20 nanometri, atteso per il prossimo anno, e lo step successivo con processo a 14 nanometri XM avverrà in solo 1 anno contro i cicli di 2 anni che tipicamente si incontrano nel passaggio da un full node all'altro. Intel prevede, stando alla propria roadmap, di presentare il proprio processo produttivo a 14 nanometri proprio nel corso del 2014, utilizzando tale tecnologia con le architetture Broadwell che prenderanno il posto di quelle Haswell attese nel 2013.
L'adozione di questa tecnologia produttiva dovrebbe permettere di ottenere un miglioramento delle prestazioni variabile tra il 20% e il 55% rispetto a quanto ottenibile con il processo a 20 nanometri di tipo LPM, previsto al debutto nel corso del 2013. Stando a quanto anticipato da GlobalFoundries questa nuova tecnologia dovrebbe permettere ai propri partner produttori di semiconduttori di poter rivaleggiare direttamente con Intel in termini sia di densità di transistor nei propri chip sia di prestazioni, tanto velocistiche quanto di contenimento dei consumi.
Con questo annuncio, i cui frutti concreti arriveranno solo nel 2013 con i primi sample di test destinati ai partner, GloablFoundries mette sotto pressione le altre aziende impegnate nel settore, la taiwanese TSMC in testa, mettendo anche Intel in una condizione di non poter più vantare la propria storica supremazia nell'implementazione di nuove tecnologie produttive all'avanguardia nell'industria.
6 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoMolto più fattibile che per AMD sia riservata quella a 20nm (ma se GF cambiasse i piani buon per loro).
Se anche i 14nm sono conteggiati allo stesso modo (cioè introduzione "sulla carta" allora Intel conserverà un notevole vantaggio (1 anno circa), in quanto nel 2014 questa dovrebbe avere già processori basati su tale nodo (che dovrebbe essere presentato nel 2013, almeno stando a wikipedia).
Bha... vedremo. Certo che se GF riesce davvero a mettersi al passo di Intel conseguirebbe un risultato davvero notevole, per la gioia di tutti i consumatori
Ciao.
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