STM spinge per la produzione FDSOI con Globalfoundries

STMicroelectronics è attualmente impegnata in trattative con Globalfoundries per il trasferimento sulle linee di produzione del suo processo produttivo Fully Depleted Silicon on Insulator, allo scopo di poter avviare la produzione in volumi nel corso del 2013.

ST sostiene che il proprio processo FDSOI a 28 nanometri è capace di offrire il 30% di prestazioni in più rispetto al processo bulk CMOS a 28 nanometri a parità di consumo energetico o, viceversa, una riduzione nel consumo dinamico del 50% a parità di prestazioni. Questo risultato è possibile grazie alla possibilità, con i dispositivi realizzati con processo FDSOI, di impiegare tensioni fino a 0,6V mentre 0,9V è il limite possibile con il processo bulk CMOS.

Fino ad ora già diverse compagnie hanno avuto modo di accedere al physical design kit per il processo FDSOI a 28nm, reso disponibile tramite il SOI Consortium. Prima di impegnarsi su questo processo ST vuole però che la capacità produttiva sia pronta ad affrontare tutte le eventuali necessità ed è per questo motivo che sta portando avanti un confronto con Globalfoundries.

Joel Hartmann, executive vicepresident per il front-end manufacturing and process R&R di ST, ha commentato: "Abbiamo siglato una lettera d'intenti con Globalfoundries, ora ci stiamo confrontando sui dettagli del contratto". Globalfoundries ha siglato l'accordo a giugno del 2012, interessata a diventare un fornitore del processo FDSOI per ST e per altri clienti. Per i prototipi ed i volumi iniziali ST può comunque affidarsi al proprio stabilimento pilota di Crolles, in Francia.

Hartman osserva che il costo di un wafer grezzo SoI è di due o tre volte superiore rispetto ad un wafer standard in silicio. Il processo FDSOI è però più semplice e porta ad un contenimento dei costi e a migliori rese produttive: "Il processo FDSOI ha un costo del 10%-12% inferiore rispetto al processo bulk. Questo ci consentirà di compensare completamente i costi aggiuntivi del substrato SOI una volta raggiunta la produzione ad alti volumi".

ST-Ericsson, sussidiaria di STMicroelectronics, ha già annunciato l'application processor L8580 che sarà prodotto con processo FDSOI a 28 nanometri e reso disponibile in quantità limitate per la valutazione nel primo trimestre 2013. Anche Altera Corporation ha espresso interesse per il processo FDSOI applicato alla realizzazione di FPGA.

Hartmann ha infine precisato che anche la stessa ST sta cercando di utilizzare il processo per quelle applicazioni consumer dove il consumo energetico riveste un ruolo chiave, senza tuttavia indicare quali prodotti o linee produttive saranno trasferite alla produzione SOI. "Se iniziamo ad operare con Globalfoundries adesso o a febbraio, la produzione potrebbe essere avviata nel quarto trimestre dell'anno" ha concluso Hartmann.