UMC prosegue la collaborazione con IBM per il processo FinFET a 10nm

UMC prosegue la collaborazione con IBM per il processo FinFET a 10nm

La fonderia taiwanese annuncia il proseguimento di un accordo stretto con IBM lo scorso anno per le attività di sviluppo del processo di produzione FinFET a 10 nanometri

di Andrea Bai pubblicata il , alle 08:31 nel canale Scienza e tecnologia
IBM
 

La fonderia taiwanese United Microelectronics Corporation (UMC) ha annunciato che continuerà a lavorare con IBM nel contesto del gruppo IBM Technology Developrment Alliance sullo sviluppo della tecnologia di processo CMOS FinFET a 10 nanometri.

L'annuncio fa seguito ad uno simile dello scorso anno quando UMC ha ottenuto la licenza da IBM per i processi CMOS a 20 nanometri, inclusi quelli per i transistor tridimensionali FinFET. Processo che è stato rinominato come 14-nm FinFET, in linea con quanto operato dal resto del settore. Essenzialmente il processo FinFET a 16 nanometri da parte TSMC ed il processo FinFET a 14-nm da parte di Globalfoundries fanno entrambi uso di processi BEOL a 20 nanometri.

UMC ha dichiarato di voler lavorare con IBM per migliorare il processo FinFET a 14 nanometri per offrire un processo a basso consumo per le attività di mobile computing e di telecomunicazioni, inviando inoltre un gruppo di ingegneri ad Albany, nello stato di New York, presso la sede di IBM, per partecipare al lavoro di sviluppo attorno al processo a 10 nanometri. L'implementazione dei processi FinFET a 14 e 10 nanometri avranno luogo presso il centro di ricerca e sviluppo di UMC a Tainan. Secondo le intenzioni di UMC il processo FinFET a 14 nanometri potrebbe entrare in produzione nel corso della seconda metà del 2014.

Vi è comunque una possibilità potrebbe essere che il processo FinFET a 10 nanometri sia basato su FinFET realizzati su wafer SoI, in maniera tale da trovare un punto di incontro tra la realizzazione mainstrea, dei FinFET su processo bulk CMOS e quanto invece percorso da STMicroelectronics che sta spingendo la produzione di circuiti integrati su tecnologia FDSOI.

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