Wafer a 450mm, TSMC punta alle linee pilota per il 2017

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company ha voluto sottolineare nuovamente i piani per la realizzazione del primo stabilimento che sarà provvisto di linee di produzione pilota per wafer a 450mm, le quali verranno impiegate a partire dal 2016-2017 per la produzione di transistor con tecnologia FinFET e processi produttivi a 10nm e 7nm. La fonderia taiwanese progetta inoltre di poter adottare la litografia EUV (Extreme UltraViolet) per la realizzazione dei chip a 10 nanometri, con l'installazione dei macchinari prevista per la fine del 2017.

JK Wang, vicepresidente delle operazioni per le fabbriche da 300mm per TSMC ha osservato che i fornitori dei macchinari avevano mostrato in precedenza qualche grado di esitazione ad investire risorse per la realizzazione della strumentazione capace di lavorare wafer in silicio da 450mm di diametro. Wang osserva però che il settore ha ormai preso consapevolezza del passaggio verso i 450mm e che la maggior parte dei produttori di macchinari ha allocato il 15% circa delle risorse di ricerca e sviluppo per la realizzazione di strumenti destinati alla produzione a 450mm.

TSMC ha come obiettivo di terminare le operazioni di installazione dei nuovi strumenti entro la fine del quarto trimestre del 2015 e prevede di realizzare le prime linee pilota tra il 2016 ed il 2017. L'installazione della strumentazione per la litografia EUV e i nuovi scanner a 193mm di lunghezza d'onda per la litografia ad immersione sarà invece completata per la fine del 2017.

Wang ha inoltre rivelato che TSMC andrà ad espandere la capacità a 28 nanometri ad un livello mensile di 100 mila wafer da 300mm entro la fine del 2013. La fonderia sta inoltre preparandosi per avviare la produzione di chip con processo produttivo a 20 nanometri per il 2014.